NA MASTER(那諾-馬斯特)提供離子束刻蝕和反應(yīng)離子束刻蝕，可以應(yīng)用于表面清洗、表面處理、離子束研墨、光柵刻蝕，以及SiO2，Si及金屬的深槽反應(yīng)離子束刻蝕。型號包含NIE-3000，NIE-3500，NIE-4000。

IBE/RIBE離子束刻蝕/反應(yīng)離子束刻蝕

        如銅和金等金屬揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到的方式消除熱量，否則光刻膠將變得去除。

        NA-MASTER(那諾-馬斯特)技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以想要的均勻度。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 14.5”不銹鋼立體離子束腔體

• 16cm DC離子1000eV,500mA, 氣動不銹鋼遮板

• 離子束中和器

• 氬氣MFC

• 6”水冷樣品臺

• 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)

• 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜

• 手動或自動上晶圓片

• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%

• 限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）

• 配套1000 l/s渦輪分子泵，限真空可達(dá)8x10-8Torr

• 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化

• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動控制

• 菜單驅(qū)動，4級訪問保護(hù)

• 完整的聯(lián)鎖

IBM離子銑/RIBE反應(yīng)離子束刻蝕

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 離子束：2KV/10mA

• 離子電流密度100-360uA/cm2

• 離子束直徑：4”,5”,6”

• 兼容反應(yīng)及非反應(yīng)氣體(Ar, O2, CF4,Cl2)

• 限真空5x10-7Torr

• 260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵

• 14”不銹鋼或鋁質(zhì)腔體

• 水冷旋轉(zhuǎn)/傾斜樣品臺(NIE-3500)

• 自動上片（NIE-3500）

• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動控制

• 占地面積30”x30”

產(chǎn)品應(yīng)用：

• 表面清洗

• 表面處理

• 離子銑

• 帶氣體的離子束刻蝕

• 光柵

• SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕