單晶研究及摻雜、規(guī)模生產(chǎn)型
功率：2.45GHz，6KW；
水冷樣品臺：直徑50mm，樣品臺旋轉(zhuǎn)可選
真空系統(tǒng)：機械泵+渦輪分子泵TMP
控制系統(tǒng)：半自動或全自動控制
生長速率： 50μm/h，or even higher
多種子沉積: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
高水平單晶及摻雜工藝培訓(xùn)，現(xiàn)場演示單晶生長。
整體特點：專門為單晶生產(chǎn)及研究配置，易摻雜；可獲得高純度單晶金剛石(SCD)，雜質(zhì)含量<1ppm，無色透明單晶; 可實現(xiàn)高濃度B-doping、N-doping，獲得高遷移率金剛石半導(dǎo)體，部分研究機構(gòu)使用我們的設(shè)備已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)品化。
大規(guī)模單晶生產(chǎn)型：
功率：915MHz，30KW
樣品臺：直徑100mm，水冷，旋轉(zhuǎn)
真空系統(tǒng)：機械泵+分子泵，真空度10-7 Torr
全自動控制模式，手動和半自動可選
生長速率：50μm/h
多種子同時生長: 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
整體特點：專門為大規(guī)模單晶生產(chǎn)配置；可獲得高純度單晶金剛石(SCD)，可實摻雜，也可以使用該配置設(shè)備進(jìn)行大面積UNCD/PCD生長。
