儀器簡介：
Helios NanoLab是目前強大的場發(fā)射掃描(FESEM)+聚焦離子束(FIB)"雙束"顯微鏡系統(tǒng), 是FESEM/FIB 應用的前沿工具:
- 無與倫比的成像性能
- 二維和三維 納米分析
- 納米原型設計
- 的樣本制備性能
技術(shù)參數(shù)：
1.分辨率
在適佳工作距離下：
0.9nm @ 15kV
1.4nm @ 1kV
在束交點(電子束+離子束)的工作距離下：
1.0nm @ 15kV, 束交點工作距離 4mm
5nm FIB @ 30kV，束交點工作距離 16.5mm
2.加速電壓范圍：
SEM: 30kV 至 350V
FIB: 30kV 至 500V
3.探測器：
新一代TLD二次電子/背散射電子探測器
樣品室紅外CCD
可選CDEM離子探測器、STEM、固體背散射探測器等
4.氣體注入系統(tǒng)（GIS）：
Pt沉積氣體
W沉積氣體
C沉積氣體
金屬增強蝕刻氣體
氧化物增強蝕刻氣體
(FEI目前可提供多達11種氣體)
5.150mm(6")壓電陶瓷馬達驅(qū)動的全對中樣品臺
主要特點：
1. Schottky FESEM次達到亞納米分辨率
2. FIB出色的分辨率以及范圍的束流和加速電壓
3. 出色的成像質(zhì)量和系統(tǒng)穩(wěn)定性
4. 新集成的電子和離子束16 位數(shù)字圖案生成器
5. 薄的樣品制備，非常低的樣品損傷、高速度、并且操作輕松
6. 二維和三維的納米表征和納米原型制作達到了新的極限
Helios NanoLab是目前強大的場發(fā)射掃描(FESEM)+聚焦離子束(FIB)"雙束"顯微鏡系統(tǒng), 是FESEM/FIB 應用的前沿工具:
- 無與倫比的成像性能
- 二維和三維 納米分析
- 納米原型設計
- 的樣本制備性能
技術(shù)參數(shù)：
1.分辨率
在適佳工作距離下：
0.9nm @ 15kV
1.4nm @ 1kV
在束交點(電子束+離子束)的工作距離下：
1.0nm @ 15kV, 束交點工作距離 4mm
5nm FIB @ 30kV，束交點工作距離 16.5mm
2.加速電壓范圍：
SEM: 30kV 至 350V
FIB: 30kV 至 500V
3.探測器：
新一代TLD二次電子/背散射電子探測器
樣品室紅外CCD
可選CDEM離子探測器、STEM、固體背散射探測器等
4.氣體注入系統(tǒng)（GIS）：
Pt沉積氣體
W沉積氣體
C沉積氣體
金屬增強蝕刻氣體
氧化物增強蝕刻氣體
(FEI目前可提供多達11種氣體)
5.150mm(6")壓電陶瓷馬達驅(qū)動的全對中樣品臺
主要特點：
1. Schottky FESEM次達到亞納米分辨率
2. FIB出色的分辨率以及范圍的束流和加速電壓
3. 出色的成像質(zhì)量和系統(tǒng)穩(wěn)定性
4. 新集成的電子和離子束16 位數(shù)字圖案生成器
5. 薄的樣品制備，非常低的樣品損傷、高速度、并且操作輕松
6. 二維和三維的納米表征和納米原型制作達到了新的極限
