操作模式
NMOS的漏電流與漏電壓之間在不同VGSVth的關(guān)系MOSFET在線性區(qū)操作的截面圖MOSFET在飽和區(qū)操作的截面圖依照在MOSFET的柵、源，與漏等三個(gè)端點(diǎn)施加的“偏壓”（bias）不同，一個(gè)常見(jiàn)的加強(qiáng)型（enhancement mode）N型 MOSFET有下列三種操作區(qū)間：截止或次臨限區(qū)（cut-off or sub-threshold region） 當(dāng)柵和源間的電壓VGS（G代表柵，S代表源）小于一個(gè)稱(chēng)為臨界電壓（threshold voltage,Vth）的值時(shí)，這個(gè)MOSFET是處在“截止”（cut-off）的狀態(tài)，電流無(wú)法流過(guò)這個(gè)MOSFET，也就是這個(gè)MOSFET不導(dǎo)通。但事實(shí)上當(dāng)VGS>Vth、且VDS=0，一些擁有大量MOSFET的集成電路產(chǎn)品，如DRAM，次臨限電流往往會(huì)造成額外的能量或功率消耗。溫馨提示：
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