結(jié)構(gòu)
一個(gè)NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個(gè)N型 MOSFET（以下簡(jiǎn)稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的是位于的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源與漏。源與漏的特性須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源與漏上標(biāo)示的“N+”代表著兩個(gè)意義：⑴N代表?yè)诫s（d）在源與漏區(qū)域的雜質(zhì)性為N；⑵“+”代表這個(gè)區(qū)域?yàn)楦邠诫s濃度區(qū)域（heavily d region），也就是此區(qū)的電子濃度遠(yuǎn)高于其他區(qū)域。在源與漏之間被一個(gè)性相反的區(qū)域隔開，也就是所謂的基（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是P型。反之對(duì)PMOS而言，基體應(yīng)該是N型，而源與漏則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）?；w的摻雜濃度不需要如源或漏那么高，故在右圖中沒(méi)有“+”。
對(duì)這個(gè)NMOS而言，真正用來(lái)作為通道、讓載流子通過(guò)的只有MOS電容正下方半導(dǎo)體的表面區(qū)域。當(dāng)一個(gè)正電壓施加在柵上，帶負(fù)電的電子就會(huì)被吸引至表面，形成通道，讓N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子—電子可以從源流向漏。如果這個(gè)電壓被移除，或是放上一個(gè)負(fù)電壓，那么通道就無(wú)法形成，載流子也無(wú)法在源與漏之間流動(dòng)。假設(shè)操作的對(duì)象換成PMOS，那么源與漏為P型、基體則是N型。在PMOS的柵上施加負(fù)電壓，則半導(dǎo)體上的空穴會(huì)被吸引到表面形成通道，半導(dǎo)體的多數(shù)載流子—空穴則可以從源流向漏。假設(shè)這個(gè)負(fù)電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無(wú)法形成，一樣無(wú)法讓載流子在源和漏間流動(dòng)。要說(shuō)明的是，源在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載流子的來(lái)源”。對(duì)NMOS而言，多數(shù)載流子是電子；對(duì)PMOS而言，多數(shù)載流子是空穴。相對(duì)的，漏就是接受多數(shù)載流子的端點(diǎn)。溫馨提示：
為了保障買家的利益，請(qǐng)咨詢后再付款。電子元件是型的產(chǎn)品，技術(shù)含量較高，由于本身可能存在著多種品牌，后輟與封裝，所以可能導(dǎo)致參數(shù)與性能的差異，部分產(chǎn)品是以小包裝或者沒(méi)拆包裝出售等問(wèn)題，請(qǐng)您在購(gòu)買我們?cè)?，將您所需產(chǎn)品的品牌、封裝，后輟，規(guī)格跟店家聯(lián)系落實(shí)后再進(jìn)行交易！
我們擁有的質(zhì)量管理體系，所銷產(chǎn)品均為原裝（原廠原包裝），合歐盟 RoHS指令 ,可出具性和ROHS（SGS）。
