操作原理


MOSFET的：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容
金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基的硅，而其上則是作為柵的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個(gè)電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來(lái)決定。柵多晶硅與基的硅則成為MOS電容的兩個(gè)端點(diǎn)。
當(dāng)一個(gè)電壓施加在MOS電容的兩端時(shí)，半導(dǎo)體的電荷分布也會(huì)跟著改變?？紤]一個(gè)P型的半導(dǎo)體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當(dāng)一個(gè)正的電壓VGB施加在柵與基端（如圖）時(shí)，空穴的濃度會(huì)減少，電子的濃度會(huì)增加。當(dāng)VGB夠強(qiáng)時(shí)，接近柵端的電子濃度會(huì)過(guò)空穴。這個(gè)在P型半導(dǎo)體中，電子濃度（帶負(fù)電荷）過(guò)空穴（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉(zhuǎn)層（inversion layer）。
MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個(gè)完整的MOSFET結(jié)構(gòu)還需要一個(gè)提供多數(shù)載流子（majority carrier）的源以及接受這些多數(shù)載流子的漏。
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