配置概要:
1、系統(tǒng)配有多個腔室:UHV蒸發(fā)室、UHV濺射室,load lock等,用于制備約瑟夫森結(jié)。
2、電子束蒸發(fā)源:(4-6)x 15cc,6-15KW,2-10KV可調(diào)。
3、濺射室配有多個磁控靶源,每個靶源有的擋板,配備氣路。
4、可以注入多種氣體,進(jìn)行氧化處理,并且可控制其壓強(qiáng)。
5、樣品臺可以適用于3英寸以上晶片,且具有樣品臺傾斜和旋轉(zhuǎn)功能(三維轉(zhuǎn)動)。
6、樣品襯底在鍍膜前可以通過離子進(jìn)行清潔。
7、主要真空腔真空度可達(dá)10-9-10-10 Torr.
8、可以沉積幾乎任何金屬及氧化物薄膜。
9、蒸鍍厚度控制速度分辨率:0.001nm/s
10、整個系統(tǒng)全自動控制,支持半自動和手動模式。
代表用戶:導(dǎo)及量子器件研究實(shí)驗(yàn)室。