ETInLineSys是根據(jù)鍍膜機在線高測量要求，專門研發(fā)的橢偏測量系統(tǒng)，在此系統(tǒng)中，橢偏測量部件與鍍膜機集成為一體。    ETInLineSys可用于真空熱蒸發(fā)鍍膜機、離子濺射鍍膜機、原子層沉積鍍膜機等多種原理的鍍膜機?？稍诰€測量光滑平面基底上的納米薄膜，包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；并可測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。      ETInLineSys融合量拓科技在高激光橢偏儀的先進設(shè)計技術(shù)和橢偏產(chǎn)品制造方面的經(jīng)驗，性能穩(wěn)定、可靠。

特點:

• 快速在線鍍膜樣品測量可對樣品進行快速在線監(jiān)測，實時反饋鍍膜的真實信息。
• 系統(tǒng)可選的靈活配置根據(jù)用戶實際檢測需求，可靈活選用激光橢偏儀、光譜橢偏儀部件等進行系統(tǒng)配置。
• 原子層量級的膜厚分析采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術(shù)，對納米薄膜達到極高的測量準確度和靈敏度，膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。
• 簡單方便安全的儀器操作用戶利用測量軟件可方便地進行實時監(jiān)測，豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設(shè)置。

應(yīng)用:

      ETInLineSys適合于多種鍍膜機在線納米薄膜的測量。

  ETInLineSys可用于測量納米薄膜樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；

  ETInLineSys可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數(shù)k；

  ETInLineSys可應(yīng)用于：

• 真空離子蒸發(fā)鍍膜機 
• 薄磁控濺射鍍膜機量
• ALD原子層沉積鍍膜機
• MBE分子束外延鍍膜機
• PLD激光濺射沉積鍍膜機
   

技術(shù)指標:

項目	技術(shù)指標
系統(tǒng)型號	ETInLineSys
結(jié)構(gòu)類型	在線式
探頭形式	激光橢偏儀或光譜橢偏儀
膜厚測量重復(fù)性（1）	0.1nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n測量重復(fù)性（1）	5x10-4  (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
樣品放置	鍍膜機內(nèi)
入射角度	根據(jù)實際設(shè)計
測量速度	對于激光橢偏儀，典型0.2s~0.6s
軟件	多語言見面切換預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用運安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員）方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫豐富的預(yù)設(shè)模型數(shù)據(jù)庫

   注：（1）測量重復(fù)性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。

性能保證

• 高性能器件、高的采樣方法，保證了系統(tǒng)的高準確度
• 穩(wěn)定可靠的結(jié)構(gòu)設(shè)計，保證了系統(tǒng)的長期穩(wěn)定性
• 與鍍膜機集成式的一體化設(shè)計集成式的結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高
• 的在線軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用

可選配件：

•  NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
•  NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片