- 品牌/商標(biāo):ELLITOP
- 企業(yè)類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產(chǎn)地:北京
特點(diǎn):
- 微米量級(jí)的全面積掃描先進(jìn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì),能夠使探頭到達(dá)樣品上每個(gè)點(diǎn),掃描達(dá)到微米量級(jí)。
- 原子層量級(jí)的膜厚分析采用非接觸、無(wú)破壞性的橢偏測(cè)量技術(shù),對(duì)納米薄膜達(dá)到極高的測(cè)量準(zhǔn)確度和靈敏度,膜厚測(cè)量靈敏度可達(dá)到0.05nm。
- 簡(jiǎn)單方便安全的儀器操作 用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程,數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫(kù)、材料庫(kù)方便用戶進(jìn)行測(cè)量設(shè)置。
- 大面積樣品上全表面測(cè)量 可對(duì)1.4m*1.1m及以上的大面積薄膜樣品各點(diǎn)的性質(zhì)進(jìn)行分析和比較。
應(yīng)用:
ETMapSys適合于高要求的大面積納米薄膜研發(fā)和質(zhì)量控制。
ETMapSys可用于測(cè)量大面積的納米薄膜樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;同時(shí)用于塊狀材料
ETMapSys可應(yīng)用于:
- 大面積液晶顯示屏上的鍍層測(cè)量
- 大面積半導(dǎo)體芯片的薄膜測(cè)量
- 大面積低輻射玻璃(LOW-E)的鍍膜(ZnO,SnO2,TiO2,Ag)測(cè)量
- 大面積金屬上納米薄膜測(cè)量
- 大面積的光學(xué)薄膜(TiO2,SiO2等)測(cè)量
技術(shù)指標(biāo) :
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
系統(tǒng)型號(hào) | ETMapSys-PV |
結(jié)構(gòu)類型 | 在線式 |
激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne laser) |
膜厚測(cè)量重復(fù)性(1) | 0.05nm (對(duì)于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n測(cè)量重復(fù)性(1) | 5x10-4 (對(duì)于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
結(jié)構(gòu) | PSCA |
激光光束直徑 | ~1 mm |
入射角度 | 65°-75°可選 |
樣品放置 | 放置方式:水平運(yùn)動(dòng):X軸單方向運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)范圍:>1.4m三維平移調(diào)節(jié)二維俯仰調(diào)節(jié)可對(duì)樣品進(jìn)行掃描測(cè)量 |
樣品臺(tái)尺寸 | 1.4m*1.1m,并可定制。 |
測(cè)量速度 | 典型0.6s-4s /點(diǎn)(取決于樣品種類及測(cè)量設(shè)置) |
的膜層厚度測(cè)量范圍 | 粗糙表面樣品:與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān)光滑平面樣品:透明薄膜可達(dá)4000nm,吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) |
選配件 | 樣品監(jiān)視系統(tǒng)自動(dòng)樣品上片系統(tǒng) |
性能保證:
- 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高的采樣方法以及低噪聲探測(cè)技術(shù),保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
- 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn),結(jié)合先進(jìn)的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測(cè)量
- 一體化集成式的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、整體穩(wěn)定性提高
- 一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫(kù)和材料數(shù)據(jù)庫(kù),方便用戶使用