功率器件環(huán)境老化試驗儀

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）

      該試驗系統(tǒng)是依據(jù) GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標準要求對器件測試，將柵與發(fā)射短接，在集電與發(fā)射間加上設(shè)定的直流電壓，同時檢測直流電壓與漏電流的值。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，并可通過軟件輸入模塊結(jié)殼熱阻，結(jié)合產(chǎn)生的耗散功率，當(dāng)溫度與漏電流過設(shè)定值后，切斷電源，給出信號。此設(shè)備是電力電子器件環(huán)境老化測試的重要檢測設(shè)備，用于驗證長期穩(wěn)定情況下器件的漏電流。系統(tǒng)**測試電壓5000V（可擴展至10KV）?？梢詫崿F(xiàn)對IGBT器件集電-發(fā)射電壓Vce、集電發(fā)射電流Ices、殼溫Tc 、時間等各項參數(shù)的檢測，根據(jù)程序設(shè)定自動完成測試，記錄保存測試數(shù)據(jù)并且可以瀏覽和導(dǎo)出。

       測試夾具采用氣動控制單面加熱型。工作時通過溫控儀和其他控制系統(tǒng)設(shè)定溫度和時間，具備自動檢測溫度、溫報警、壓報警、過流保護及連鎖、緊停等功能，異常時切斷主電源。