功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)系統(tǒng)

可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）

      該試驗(yàn)系統(tǒng)是依據(jù) GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)器件測(cè)試，將柵與發(fā)射短接，在集電與發(fā)射間加上設(shè)定的直流電壓，同時(shí)檢測(cè)直流電壓與漏電流的值。測(cè)試需有傳感器直接檢測(cè) IGBT 模塊殼溫，并可通過(guò)軟件輸入模塊結(jié)殼熱阻，結(jié)合產(chǎn)生的耗散功率，當(dāng)溫度與漏電流過(guò)設(shè)定值后，切斷電源，給出信號(hào)。此設(shè)備是電力電子器件環(huán)境老化測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下器件的漏電流。系統(tǒng)**測(cè)試電壓5000V（可擴(kuò)展至10KV）?？梢詫?shí)現(xiàn)對(duì)IGBT器件集電-發(fā)射電壓Vce、集電發(fā)射電流Ices、殼溫Tc 、時(shí)間等各項(xiàng)參數(shù)的檢測(cè)，根據(jù)程序設(shè)定自動(dòng)完成測(cè)試，記錄保存測(cè)試數(shù)據(jù)并且可以瀏覽和導(dǎo)出。

       測(cè)試夾具采用氣動(dòng)控制單面加熱型。工作時(shí)通過(guò)溫控儀和其他控制系統(tǒng)設(shè)定溫度和時(shí)間，具備自動(dòng)檢測(cè)溫度、溫報(bào)警、壓報(bào)警、過(guò)流保護(hù)及連鎖、緊停等功能，異常時(shí)切斷主電源。