半導(dǎo)體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導(dǎo)體鍺或硅的單晶上制備兩個(gè)能相互影響的PN結(jié)，組成一個(gè)PNP（或NPN）結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發(fā)射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關(guān)等作用的半導(dǎo)體電子器件。

    主要參數(shù)　　

特征頻率fT 　　當(dāng)f= fT時(shí)，三管失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT，電路將不正常工作。 　　

工作電壓/電流 　　用這個(gè)參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍。 　　

hFE 　　電流放大倍數(shù)。 　　

VCEO 　　集電發(fā)射反向擊穿電壓，表示臨界飽和時(shí)的飽和電壓。 　　

PCM 　　允許耗散功率。