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    半導體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發(fā)射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。

    主要參數(shù)　　

特征頻率fT 　　當f= fT時，三管失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT，電路將不正常工作。 　　

工作電壓/電流 　　用這個參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍。 　　

hFE 　　電流放大倍數(shù)。 　　

VCEO 　　集電發(fā)射反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。 　　

PCM 　　允許耗散功率。