譜橢偏儀(PH-SE型)針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用，可測(cè)量多晶硅/單晶硅絨面表面單層（二層或多層）減反射膜、和玻璃/基底上的薄膜太陽(yáng)能電池。多層膜和非均勻薄膜的分析也出色。針對(duì)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的光譜橢偏儀基于的橢偏光路設(shè)計(jì)，高靈敏度探測(cè)單元和光譜橢偏儀分析軟件，可測(cè)量各種太陽(yáng)能電池的薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)，光學(xué)帶寬等。
光譜橢偏儀-產(chǎn)品特點(diǎn)
■連續(xù)波長(zhǎng)的光源為用戶提供了更大的應(yīng)用空間
■更簡(jiǎn)便快捷的樣品準(zhǔn)直方法
■軟件具備豐富的材料數(shù)據(jù)庫(kù)
■允許用戶自定義色散模型，更方便用戶研究新材料的光學(xué)性質(zhì)
■全波長(zhǎng)多角度同時(shí)數(shù)據(jù)擬合，EMA模型用戶多成分化合物和表面粗糙度分析
■具有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和模擬數(shù)據(jù)三維繪圖功能
■光譜范圍寬達(dá)250 - 1100nm (可擴(kuò)展至250-1700nm)
■大的光譜橢偏測(cè)量與分析軟件
光譜橢偏儀-技術(shù)指標(biāo)
■光源：氙燈
■光斑直徑：1-3mm
■入射角范圍：20°到90°,5°/步
■波長(zhǎng)范圍：350-850nm，250-1100nm，250-1700nm：0.002°~ 0.02°
■波長(zhǎng)：1nm
■ 測(cè)量時(shí)間: < 8s（取決于測(cè)量模式和粗糙度）
■ 樣品尺寸: 125x125mm 156x156mm,200x200mm電池片,其他尺寸
■ 測(cè)量：0.02nm
■ 折射率：0.0002, 100nmSiO2 on Si
■ 厚度測(cè)量范圍：0.01nm ~ 50um
■ 消光比：10-6
光譜橢偏儀-可選配
■CCD線陣列探測(cè)元件：200-850nm，350-1000nm
■樣品顯微鏡
■高穩(wěn)定性消色差補(bǔ)償器
■測(cè)量架
■XY移動(dòng)樣品臺(tái)
光譜橢偏儀-典型客戶
美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。
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