一、設(shè)備用途：
　　本設(shè)備為單室結(jié)構(gòu)的多靶磁控濺射鍍膜設(shè)備，可用于單質(zhì)膜及多層功能膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等。
　　二、技術(shù)指標(biāo)：
　　1.空室采用立式前開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)，尺寸為：Φ700×H742（mm），不銹鋼材料；
　　2.限真空：濺射室（經(jīng)烘烤）真空度限≤5×10-5Pa；
　　3.統(tǒng)漏率：停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后，濺射室真空度可達(dá)≤15Pa；
　　4.靶：四支矩形永磁非平衡靶（約15英寸×5英寸）（，由甲方自購(gòu)），磁控靶不設(shè)置檔板；
　　5.品可加熱，加熱溫度：室溫～250℃，采用高控溫表，程序控溫；
　　6.氣系統(tǒng)：采用手動(dòng)三路供氣，三路單獨(dú)進(jìn)行流量控制單獨(dú)進(jìn)氣。
　　三、系統(tǒng)組成：
　　該設(shè)備主要由真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、濺射室系統(tǒng)、磁控濺射靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)（樣品臺(tái)主體、偏壓電源、樣品加熱）、氣路系統(tǒng)、電器及計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)等各部分組成。