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盛先生先生(聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說(shuō)明是在維庫(kù)儀器儀表網(wǎng)看到的，謝謝)
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RIE，全稱是Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕，一種微電子干法腐蝕工藝。
成熟的技術(shù)，龐大的裝機(jī)量，是VLSI（標(biāo)準(zhǔn)樣片公司）供應(yīng)商。有單腔手動(dòng)方片。性價(jià)比很高。特別適合高校和研究單位。
高選擇比
1) 尺寸：2-12英寸
2) 直徑：5”或8”
3) 氣體輸入管數(shù)量：4（兩個(gè)反應(yīng)氣，一個(gè)載氣，一個(gè)排空管）
4) 源距平板的距離：2”或者可調(diào)
5) 真空：低于E-7Torr，200L/sec渦輪分子泵及3.5cfm機(jī)械泵組合
6) 平板溫度：800℃
7) 射頻電源供應(yīng)：600W，13.5MHz
8) 射頻偏壓：300W，13.5MHz
可以提供 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和PECVD雙系統(tǒng)。
