- 品牌/商標(biāo)：賽凡光電
- 企業(yè)類(lèi)型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：北京
特點(diǎn)
- 一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品
- 新型樣品調(diào)節(jié)技術(shù)，有效提高樣品定位
- 獨(dú)特的噪聲處理方法，顯著增強(qiáng)信噪比
- 新型光電增強(qiáng)技術(shù)，顯著降低生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)噪聲對(duì)結(jié)果的影響
- 現(xiàn)場(chǎng)供電檢測(cè)和調(diào)節(jié)功能，適應(yīng)更加復(fù)雜的供電環(huán)境
- 多種測(cè)量模式選擇，適合對(duì)不同要求的場(chǎng)合
- 多線(xiàn)程軟件結(jié)構(gòu)，提高用戶(hù)體驗(yàn)
應(yīng)用領(lǐng)域
絨面單晶、多晶及各種薄膜太陽(yáng)電池上納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k測(cè)量，尤其適合太陽(yáng)電池生產(chǎn)線(xiàn)上的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)。同時(shí)可用于納米薄膜樣品的生產(chǎn)工藝研究以及實(shí)驗(yàn)室中的科研使用，應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、集成電路、微電子、光學(xué)薄膜、醫(yī)學(xué)與生命科學(xué)、電化學(xué)、平板顯示領(lǐng)域、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、聚合物和金屬處理等。
技術(shù)指標(biāo)
激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne laser) |
膜層厚度 | 0.01nm (對(duì)于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
折射率 | 1x10-4 (對(duì)于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA |
激光光束直徑 | < |
入射角度 | 40°-90°可選，步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 |
|
樣品臺(tái)尺寸 | 兼容125* |
單次測(cè)量時(shí)間 | 0.2s |
推薦測(cè)量范圍 | 0-6000nm |
外形尺寸(長(zhǎng)x寬x高) | 991 x 332 x |
儀器重量（凈重） |
測(cè)試曲線(xiàn)