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擴(kuò)展電阻測(cè)試儀

產(chǎn)品價(jià)格：: 電議

產(chǎn)品型號(hào)：

供應(yīng)商等級(jí)：: 免企業(yè)未認(rèn)證

經(jīng)營模式：: 工廠

企業(yè)名稱：: 北京羲和陽光科技發(fā)展有限公司

所屬地區(qū)：: 北京

發(fā)布時(shí)間：: 2012/7/9 15:20:02

86 010 60290891

王巍女士(聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說明是在維庫儀器儀表網(wǎng)看到的，謝謝)

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北京羲和陽光科技發(fā)展有限公司

免企業(yè)未認(rèn)證證營業(yè)執(zhí)照未上傳

經(jīng)營模式：工廠

所在地：北京

主營產(chǎn)品：硅料檢測(cè)分選儀;硅片電阻率測(cè)試儀;薄膜方塊電阻率測(cè)試儀;硅芯/硅棒電阻率測(cè)試儀;少子壽命測(cè)試儀;

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測(cè)量范圍：: 0 MΩ

擴(kuò)展電阻測(cè)試儀型號(hào)：進(jìn)口擴(kuò)展電阻法是利用特殊的點(diǎn)接觸金屬探針，沿著樣品的表面，以微小的步進(jìn)測(cè)出半導(dǎo)體材料或器件表面的每一點(diǎn)的擴(kuò)展電阻值，由此得到電阻、電阻率和載流子濃度（摻雜雜質(zhì)濃度）及其分布的一種測(cè)量技術(shù)。本儀器適用于檢測(cè)P型和N型硅單晶微電阻率均勻性，檢測(cè)擴(kuò)散層的微區(qū)電阻率變化也可用于硼磷擴(kuò)散工藝的監(jiān)控，同時(shí)該儀器還可以測(cè)量銻化銦、砷化鎵濃度的相對(duì)變化量。
	應(yīng)用實(shí)例
■ 硅晶體電阻率微觀均勻性的測(cè)量 ■ 硅晶體中氧濃度及其分布的測(cè)量 ■ 硅晶體離子注入層的測(cè)量 ■ 硅外延層厚度和載流子濃度的測(cè)試 ■ 硅pn結(jié)和器件結(jié)構(gòu)的測(cè)試 ■ 硅晶體中雜質(zhì)擴(kuò)散特性的測(cè)試 ■ 硅晶體離子注入層的測(cè)量

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聯(lián)系人：: 王巍女士

所在地：: 北京

類型：: 工廠

地址：: 北京市大興區(qū)西紅門路26號(hào)明珠莊園4-410

服務(wù)熱線

86 010 60290891

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