微米劃痕測(cè)試儀(30mN - 30N)
微米級(jí)劃痕測(cè)試儀被廣泛應(yīng)用于界定薄膜與基體的結(jié)合強(qiáng)度，薄膜厚度一般小于５微米。它還被用于分析有機(jī)、無(wú)機(jī)，軟質(zhì)和硬質(zhì)薄膜的破壞形式。薄膜材料包括PVD, CVD, PECVD單層或多層薄膜，感光薄膜，彩繪釉漆，和其他應(yīng)用于各種領(lǐng)域的薄膜，包括光學(xué)、微電子、保護(hù)性薄膜、裝飾性涂層等領(lǐng)域。基體材料可以為硬質(zhì)或軟質(zhì)材料，包括金屬、合金、半導(dǎo)體、玻璃、礦物、以及有機(jī)材料等。
技術(shù)參數(shù)：
具有有源力學(xué)反饋系統(tǒng)校正樣品形貌帶來(lái)的法向力變化
劃痕正向力小載荷 30mN
劃痕正向力載荷 30N
正向力分辨率 0.3mN
摩擦力 30N
摩擦力分辨率 0.3mN
劃痕深度 1000 um
位移分辨率 0.3nm
劃痕長(zhǎng)度 120mm
劃痕速度 0.4-600mm/min
選件
客戶(hù)可以根據(jù)經(jīng)費(fèi)和實(shí)際需求選擇CPX或OPX納米力學(xué)平臺(tái)），在此基礎(chǔ)上可以選擇CSM公司其它的力學(xué)測(cè)試模塊如UNHT（超納米壓痕模塊），NHT（納米壓痕模塊），MHT（微米壓痕模塊），AFM(原子力顯微鏡）模塊或Conscan（白光共聚焦顯微鏡）等，以構(gòu)建自己需要的微納米力學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)
多種金剛石劃痕針頭選擇（曲率半徑50um,100um，200um等，Rockwell C）
真空、濕度與溫度控制選件
集成原子力顯微鏡或白光共焦顯微鏡三維成像
主要特點(diǎn)：
實(shí)時(shí)記錄正向力、摩擦力、摩擦系數(shù)、聲發(fā)射信號(hào)隨劃痕距離的變化
具有前掃描、后掃描模式
往復(fù)劃痕模式（磨損模式）
全自動(dòng)多點(diǎn)劃痕模式、陣列劃痕模式
恒力劃痕、漸進(jìn)力劃痕及臺(tái)階增力劃痕模式
全自動(dòng)連續(xù)景深成像（可在Z方向平臺(tái)自動(dòng)移動(dòng)下進(jìn)行不同深度對(duì)焦照相，有效克服光學(xué)物鏡景深限制，形成Z方向高清晰圖像）
全景成像模式：在任一倍率鏡頭下（如100倍物鏡，視場(chǎng)50-60um），可在劃痕方向平臺(tái)自動(dòng)移動(dòng)下逐幅拼接劃痕不同位置的光學(xué)圖像，形成劃痕全景圖像，成像長(zhǎng)度不低于30mm
劃痕的光學(xué)圖像和劃痕位置實(shí)時(shí)一一關(guān)聯(lián)對(duì)應(yīng)
鼠標(biāo)移動(dòng)至任意劃痕位置時(shí)，可以顯示并讀取該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的正向力、摩擦力、位移深度、聲發(fā)射信號(hào)數(shù)值
鼠標(biāo)移動(dòng)至任意劃痕位置時(shí)，可以觀察到該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的光學(xué)圖像
點(diǎn)擊鼠標(biāo)可以自動(dòng)定義并記錄臨界載荷以及該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的摩擦力、聲發(fā)射、位移深度數(shù)值
計(jì)算和顯示單個(gè)試樣不同位置劃痕的臨界載荷及其對(duì)應(yīng)的聲發(fā)射、摩擦力、位移深度的平均值和誤差；
任意多條劃痕曲線同時(shí)顯示、或求平均，可任意選擇測(cè)試參量（如正向力、摩擦力、聲發(fā)射、位移深度）以顯示或不顯示其對(duì)應(yīng)曲線
預(yù)約或定時(shí)實(shí)驗(yàn)功能
壓頭使用次數(shù)自動(dòng)統(tǒng)計(jì)功能
對(duì)儀器硬件或測(cè)試功能具有用戶(hù)不同等級(jí)權(quán)限設(shè)定(密碼保護(hù))功能
自動(dòng)測(cè)試生成功能
多語(yǔ)言切換（如中文、英文、德文、日文、法文等）
支持WindowsTM XP及Vista操作系統(tǒng)
