Schmitt光學(xué)表面粗糙度測(cè)量?jī)x
Schmitt集工業(yè)設(shè)計(jì)、制造、及測(cè)試、測(cè)量控制系統(tǒng)于一身，其旗下的施密特光學(xué)表面粗糙度測(cè)量系統(tǒng)創(chuàng)建于上世紀(jì)九十年代中期，致力于晶圓和光碟生產(chǎn)工業(yè)及表面光散射測(cè)量技術(shù)，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于平面粗糙度測(cè)試，比如硅片，硬盤及鏡面等等。施密特光學(xué)表面粗糙度測(cè)量系統(tǒng)向客戶提供快速，非接觸式測(cè)試，測(cè)量小于0.5?，有著其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所無法比擬的水平。
Schmitt設(shè)計(jì)并制造了一系列高的表面測(cè)量及校準(zhǔn)產(chǎn)品，產(chǎn)品涵蓋了國(guó)內(nèi)外多樣化的市場(chǎng)需求。施密特的測(cè)量生產(chǎn)線由以下幾個(gè)系列的產(chǎn)品組成，包括磁盤和晶圓測(cè)量工具，先進(jìn)的表面分析散射儀。
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型號(hào)詳情：
μScan
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
― 便攜式設(shè)計(jì)，輕巧方便
― 不受樣品大小或環(huán)境限制
― 無需安裝，一插即用
― 操作簡(jiǎn)單，測(cè)量速度快
― 測(cè)量范圍1? ~1100?
(粗糙度: Ra, RMS, P-V)
― 測(cè)量，分辨率高
― 體積小，容量大，自帶內(nèi)存可存儲(chǔ)
700個(gè)數(shù)據(jù)，255個(gè)檔案
― 可程式設(shè)定合格/不合格標(biāo)準(zhǔn)
― 可附加軟件用於控制，分析和文件轉(zhuǎn)換
― 應(yīng)用: 光學(xué)表面、高精密機(jī)械加工表面、半導(dǎo)體硅片、軋制及成型加工表面
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)量范圍: 粗糙度 (Ra, RMS, P-V) : 1? up to 1100?
反射率 (Reflectance) : 0.1 up to 100.0%
雙向反射分布函數(shù)(BRDF) : 1e-6 to 1e0 (sr-1)
空間帶寬: 上限 10 to 999 μm (可選)
下限 1.0 μm
測(cè)量時(shí)間: <5s
光斑尺寸: 1mm
重 復(fù) 性: ±0.5%
精 度: ±2% Reflectance
±3% Scatter
探測(cè)頭波長(zhǎng): 670nm (1300nm可選)
TMS-2000WRC
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
― 非接觸式,無損樣品測(cè)試
― 粗糙度量程（Ra&RMS）0.2 ?~10,000 ?
― 可以徑向、軸向、整體&區(qū)域掃描測(cè)試
― 價(jià)格低于同級(jí)別的輪廓儀、AFM及干涉儀
― 操作簡(jiǎn)單，測(cè)量速度快20～100點(diǎn)/秒
― 測(cè)量高，分辨率可達(dá)0.02?
― 重復(fù)性可達(dá)±0.1 ?
― 提高產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)的可控性
― 主要應(yīng)用于晶圓測(cè)量單晶硅&SOI 等
技術(shù)參數(shù)：
光源: Class II Laser, 670 nm 光斑: ~1mm直徑
范圍: 0.2? - 10,000? (RMS 或 Ra) 分辨率: 0.02?
可重復(fù): ±0.1? 再現(xiàn): ±0.20 ?
測(cè)試點(diǎn): 樣品整體掃描到單點(diǎn)測(cè)試
速度: 每秒鐘進(jìn)行20~100次測(cè)量
測(cè)試參數(shù): Ra or RMS (Rq) 微觀粗糙度 P-V, RMS 傾斜, TIS, 漫反射率, 鏡面反射率, 總反射率, R-C 率
空間濾波頻率: (波長(zhǎng))
低波段: 0.026 到 0.129 um-1 (7.8 到 38 um)
高波段: 0.129 到 1.14 um-1 (0.88 到 7.8 um)
全波段: 0.026 到 1.14 um-1 (0.88 到 38 um)
Comp Band: 從 0.2到 150um 可選
微觀粗糙度: 可以徑向、軸向、整體&區(qū)域掃描測(cè)試
TMS-3000WRC
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
― 非接觸式,無損樣品測(cè)試
― 粗糙度量程（Ra&RMS）0.2 ?~10,000 ?
― 可以徑向、軸向、整體&區(qū)域掃描測(cè)試
― 價(jià)格低于同級(jí)別的輪廓儀、AFM及干涉儀
― 操作簡(jiǎn)單，測(cè)量速度快20～100點(diǎn)/秒
― 測(cè)量高，分辨率可達(dá)0.02?
― 重復(fù)性可達(dá)±0.1 ?
― 提高產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)的可控性
― 主要應(yīng)用于晶圓測(cè)量單晶硅&SOI 等
技術(shù)參數(shù)：
光源: Class II Laser, 670 nm 光斑: ~1mm 直徑
測(cè)試點(diǎn): 樣品整體掃描到單點(diǎn)測(cè)試 速度: 每秒20~100次測(cè)量
范圍: 0.2? - 10,000? (RMS或Ra) 分辨率: 0.02?
可重復(fù): ±0.10 ? 再現(xiàn): ±0.20?
測(cè)試參數(shù): RA or RMS (Rq) 微觀粗糙度 P-V, RMS 傾斜, TIS, 漫反射率,鏡面反射率, 總反射率, R-C 率,
空間濾波頻率: (波長(zhǎng))
低波段: 0.026 到 0.129 um-1 (7.8 到 38 um)
高波段: 0.129 到 1.14 um-1 (0.88到 7.8 um)
全波段: 0.026 到 1.14 um-1 (0.88到 38 um)
Comp Band: 從 0.2到 150um可選
微觀粗糙度：可以徑向、軸向、整體&區(qū)域掃描測(cè)試
詳情可見網(wǎng)站：https://www.dymekchina.cn/
