力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量功能一體,可以測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻測(cè)量、nA級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
系統(tǒng)參數(shù)>>>
項(xiàng)目 | 參數(shù) | 范圍 | 精度 | |
集電極-發(fā)射極 | 電壓 | 300V -- 8000V | ±0.1% | |
電流 | 5A -- 6000A | ±0.1% | ||
電壓上升沿 | 5ms | N/A | ||
電流上升沿 | 15μs | N/A | ||
最小電壓脈寬 | 1ms | ±100uS | ||
電流脈寬 | 50μs~500μs | ±5μs | ||
漏電流測(cè)試范圍 | 1nA~100mA | |||
柵極-發(fā)射極 | 電壓 | 0--300V | ±0.1% | |
電流 | 0--30 | ±0.1% | ||
最小電壓分辨率 | 30μV | N/A | ||
最小電流分辨率 | 1pA | N/A | ||
電容測(cè)試 | 頻率范圍 | 10Hz~1MHz | ±0.01% | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | ±0.05% |
硬件優(yōu)勢(shì)>>>
力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
■ 高電壓達(dá)8000V(可擴(kuò)展至10kV)
■ 大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
■ nA級(jí)漏電流μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
■ 高精度測(cè)量0.1%
■ 模塊化配置可添加或升級(jí)測(cè)量單元
■ 測(cè)試效率高、自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試
■ 兼容多種封裝根據(jù)測(cè)試需求定制夾具
軟件特點(diǎn)>>>
■ 測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%
■ 支持8000V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能
■ 柵極-發(fā)射極,支持30V/10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流
■ 電容特性測(cè)試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率支持1MHz
■ 集電極-發(fā)射極,支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15us,且具備電壓高速同步采樣功能
測(cè)試夾具>>>
針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,力鈦科提供整套測(cè)試夾具解決方案,可用于TO單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試,后期可根據(jù)客戶需求來(lái)定制化相對(duì)應(yīng)封裝。
