BW-4022C

半導體綜合測試系統(tǒng)

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)是針對于半導體器件開發(fā)專用測試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級與開發(fā)，目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進行參數(shù)測試，性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求，可用于客戶端來料檢驗、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測設備。

BW-4022C 半導體綜合測試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設計， PC 中文操作界面，程控軟件基于 Lab VIEW 平臺， 充調(diào)用式菜單操作界面，測試界面簡潔 靈活、人機界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座，根據(jù)不同器件更換測試座配合，系統(tǒng)可適配設置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測試。

該測試系統(tǒng)主要由測試主機和程控電腦及外部測試夾具三部分組成，并接受客戶端MES系統(tǒng)進行測試指令：方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行，并可將測試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)可同時針對：【光耦】

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進行測試。

【二極管】

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進行測試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓（Vbt）/負載電壓(Vbt_load )  /測試電流（0-10A 恒流 ）/負載電壓變化值（▲Vbt_load）/電池內(nèi)阻(Vbt Res)  等進行測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻（Ri）/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍（10kHz~10MHz）等測試。

【其他測試功能可定制拓展】

一、 設備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機尺寸：深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機重量：＜25kg

產(chǎn)品色系：白色系

工況環(huán)境

主機功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過 1500m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；

相對濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等；

供電要求

電源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作時間：連續(xù)；

二、測試種類與技術指標

1、光耦測試：

輸入（Input）相關參數(shù)

· 正向電壓（Forward Voltage）：

· 符號：Vf

· *小值：無

· 典型值：1.2 V

· MAX值：1.4 V

· 單位：V

· 測試條件：If=20mA

· 反向電流（Reverse Current）：

· 符號：Ir

· *小值：無

· 典型值：無

· MAX值：10 μA

· 單位：μA

· 測試條件：Vr=4V

輸出（Output）相關參數(shù)

· 集電極暗電流（Collector Dark Current）：

· 符號：Iceo

· *小值：無

· 典型值：無

· MAX值：100 nA

· 單位：nA

· 測試條件：Vce-20V,If=0

· 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

· 符號：BVceo

· *小值：80 V

· 典型值：無

· MAX值：無

· 單位：V

· 測試條件：Ic-0.1mA,If=0

· 發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

· 符號：BVeco

· *小值：6 V

· 典型值：無

· MAX值：無

· 單位：V

· 測試條件：Ie-10μA,,If=0

· 集電極電流（Collector Current）：

· 符號：Ic

· *小值：2.5 mA

· 典型值：無

· MAX值：30 mA

· 單位：mA

· 測試條件：If=5mA,Vce-5V

· 電流傳輸比（Current Transfer Ratio）：

· 符號：CTR

· *小值：50 %

· 典型值：無

· MAX值：600 %

· 單位：%

· 測試條件：If=5mA,Vce-5V

傳輸特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相關參數(shù)

· 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

· 符號：Vce

· *小值：無

· 典型值：0.1 V

· MAX值：0.2 V

· 單位：V

· 測試條件：If=20mA,Ic-1mA

· 隔離電阻（Isolation Resistance）：

· 符號：Riso

· *小值： Ω

· 典型值： Ω

· MAX值：無

· 單位：Ω

· 測試條件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù)）

三極管管型光耦

可控硅光耦

繼電器光耦

2、二極管類測試

· 二極管類：二極管

· Diode

· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（選配）；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二極管類：三端肖特基二極管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二極管類： 瞬態(tài)二極管

· TVS

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm  ；

二極管類：整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二極管類：三相整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

3、壓敏電阻測試

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;（參數(shù)配置精度與二極管一致）

4、鋰亞電池測試

· Kelvin(0~150mV)

· 電池空載電壓（Vbt）  0-100V  +-0.2%

· 負載電壓(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  測試電流（0-10A 恒流 ）

· 負載電壓變化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 測試電流（0-10A 恒流 ）

· 電池內(nèi)阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  測試電流（0-10A 脈沖 ）

5、晶振測試

· 震蕩頻率(Freq_osc )

· 諧振電阻（Ri）

· 頻率精度(Freq_ppm)

· 測試頻率范圍（10kHz~10MHz）

三、參數(shù)配置與性能指標

1. 電流/電壓源 VIS自帶VI測量單元

1）加壓（FV）

2)加流(FI)：

說明：電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)

3). 電流測量(MI)

4). 電壓測量(MV)

2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM （16位ADC，100K/S采樣速率）

1). 電壓測量(MV)

2). 漏電流測量(MI)

3. 高壓源  HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

2).加流(FI)：

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