- 企業(yè)類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：深圳
- 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm
- 質(zhì)量：30kg
- 海拔高度：海拔不超過 1000m
- 儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃
- 工作環(huán)境：15℃～40℃
- 相對(duì)濕度：20%RH ~ 85%RH
- 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa
- 防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；
HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT功率器件測(cè)試儀
一：IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn)
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；
IGBT功率器件測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/p>
整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。
二：華科智源IGBT功率器件測(cè)試儀應(yīng)用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）
C：大功率二極管
D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)
三、華科智源IGBT功率器件測(cè)試儀特征：
A：測(cè)量多種IGBT、MOS管
B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測(cè)量精度2mV
E：Vce測(cè)量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護(hù)被測(cè)量器件
H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能
I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；
序號(hào) 測(cè)試項(xiàng)目 描述 測(cè)量范圍 分辨率 精度 1 VF 二極管正向?qū)▔航?/p> 0~20V 1mV ±1%,±1mV 2 IF 二極管正向?qū)娏?/p> 0~1200A ≤200A時(shí),0.1A ≤200A時(shí),±1%±0.1A 3 ＞200A時(shí),1A ＞200A時(shí),±1% 4 Vces 集電極-發(fā)射極電壓 0~5000V 1V ±1%,±1V 5 Ic 通態(tài)集電極電流 0~1200A ≤200A時(shí),0.1A ≤200A時(shí),±1%±0.1A 6 ＞200A時(shí),1A ＞200A時(shí),±1% 7 Ices 集電極-發(fā)射極漏電流 0~50mA 1nA ±1%,±10μA 8 Vgeth 柵極-發(fā)射極閾值電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 9 Vcesat 集電極-發(fā)射極飽和電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 10 Igesf 正向柵極漏電流 0~10uA 1nA ±2%,±1nA 11 Igesr 反向柵極漏電流 12 Vges 柵極發(fā)射極電壓 0~40V 1mV ±1%,±1mV
測(cè)試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/p>
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用
1) 物理規(guī)格
設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；
質(zhì)量：30kg
2) 環(huán)境要求
海拔高度：海拔不超過 1000m；
儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃；
工作環(huán)境：15℃～40℃。
相對(duì)濕度：20%RH ~ 85%RH ；
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。
防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；
3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；
電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
