銀漿料實驗室高速納米研磨分散機 納米級銀漿研磨機  銀漿研磨分散機 高粘度銀漿分散研磨機 高濃度銀漿粉碎機 銀漿生產(chǎn)型研磨機 導(dǎo)電銀漿高速納米研磨分散機

銀漿料（silver paste），含銀的貴金屬漿料，是電子工業(yè)中*早為浸涂和絲網(wǎng)漏印工藝使用的一種導(dǎo)電材料。

大致可分為：(1)純銀漿料。粘結(jié)劑是3/～10/的鉛、鉍硼硅酸鹽玻璃，由有機載體調(diào)成漿料，燒結(jié)溫度低的500C，高的850C。根據(jù)用途的不同，銀含量低的約50/，高的可達85/。高含銀量的漿料，方阻小于2m Ω/口。

(2)以銀為基的銀鈀漿料。含鈀量低的2/～5/，高的18/～30/，燒結(jié)溫度850C，形成組織致密的銀鈀固溶體合金。含鈀量高的銀鈀漿料，方阻值的變化范圍在20～70m Ω/口。

(3)銀鉑漿料。含鉑量小于5/，燒結(jié)溫度850℃，方阻≤4m Ω/口。(4)聚合物銀漿。片狀銀粉與樹脂、溶劑的混合物，低溫干燥、固化。

一般銀漿的原始粒徑已經(jīng)是微米級或納米級別，漿料在制備中(由銀粉+有機樹脂+有機溶劑+少量助劑)粉體與液體間團聚在一起，由數(shù)個小顆粒與液態(tài)抱團在一起。這時需要把它們打開，使粒徑控制在5-7.5微米間較為適用，不然會影響其電阻率和印刷的分辨率。

上海IKN技術(shù)，獨特創(chuàng)意，融化理念。將IKN高剪切膠體磨進行進一步的改良，在原來CM2000系列的基礎(chǔ)上，將單一的膠體磨磨頭模塊，改良成兩級模塊，加入了**分散盤（均質(zhì)盤、乳化盤）。從而形成改良型的膠體磨，先研磨后分散（均質(zhì)、乳化），將物料的處理一步到底的完成，我們將這種改良的膠體磨也稱為“研磨分散機”、“研磨均質(zhì)機”、“研磨乳化機”。

CMD2000系列是IKN（上海）公司經(jīng)過研究剛剛研發(fā)出來的一款新型產(chǎn)品，該機特別適合于需要研磨分散乳化均質(zhì)一步到位的物料。

合作客戶分布于廣東多地、陜西等地。

CMD2000研磨機為立式分體結(jié)構(gòu)，**的零部件配合運轉(zhuǎn)平穩(wěn)，運行噪音在73DB以下。同時采用德國博格曼雙端面機械密封，并通冷媒對密封部分進行冷卻，把泄露概率降到低，保證機器連續(xù)24小時不停機運行。

CMD2000系列研磨分散機的結(jié)構(gòu)：研磨式分散機是由錐體磨,分散機組合而成的高科技產(chǎn)品。

CMD2000研磨機有一定輸送能力，對高固含量有一定粘稠度物料，CM2000設(shè)計了符合漿液流體特性的特殊轉(zhuǎn)子，進行物料的推動輸送；所有與物料接觸部位均為316L不銹鋼，機座采用304不銹鋼；特殊要求如：硬度較大物料，對鐵雜質(zhì)要求嚴(yán)苛的物料，管道有一定壓力并且需不間斷運轉(zhuǎn)的工況，可選磨頭噴涂碳化物或陶瓷；CMD2000改良型膠體磨腔體外有夾套設(shè)計，可通冷卻或者升溫介質(zhì)。

CMD2000系列研磨分散機設(shè)備選型表
 

流量取決于設(shè)置的間隙和被處理物料的特性，可以被調(diào)節(jié)到zui大允許量的10

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