Nasensors大長徑比探針AR5 AR10

對于具有高縱橫比特征和側(cè)壁角度接近90°的樣品的測量，如半導體器件技術(shù)中的溝槽和接觸孔，NASENSORS?設計了高縱橫比AR5，AR5T，AR10和AR10T，顯示近垂直側(cè)壁。

型號均基于NASENSORS PointProbe Plus技術(shù)。針尖的總高度為10 - 15μm，可以對高瓦楞樣品進行測量。在幾微米處，呈現(xiàn)徑向?qū)ΨQ的高縱橫比部分。半徑通常為10nm（至少15納米）。 n

AR10的特征

AR10的高縱橫比部分長于1.5μm并且在1.5μm的高度處顯示出10：1（通常為12：1）的縱橫比。這對應于高度為1.5μm且半錐角小于2.8°時的直徑小于150nm。

AR5的特征

AR5的高縱橫比部分長于2μm并且在2.0μm的高度處顯示出5：1（通常為7：1）的縱橫比。這對應于高度為2μm且半錐角小于5°時的直徑小于400nm。

傾斜補償高縱橫比硅探頭

為了補償由原子力顯微鏡頭安裝（通常為13°）引起的傾斜角，我們將AR5和AR10針尖分別作為傾斜校正的AR5T和AR10T版本（的高縱橫比部分傾斜13°至的中心軸）。作為傾斜校正的結(jié)果，的高縱橫比部分將垂直于樣品表面，并且能夠測量深度和窄的特征以及附近垂直側(cè)壁并將證明對稱的成像。 

AR10T的特征

AR10T的高縱橫比部分長于1.5μm并且在1.5μm的高度處顯示出10：1（通常為12：1）的縱橫比。這對應于高度為1.5μm且半錐角小于2.8°時的直徑小于150nm。的高縱橫比部分傾斜13±1°，相對于的中心軸?？筛鶕?jù)要求提供其他傾斜角度。 n

AR5T的特征

AR5T的高縱橫比部分長于2μm并且在2.0μm的高度處顯示出5：1（通常為7：1）的縱橫比。這對應于高度為2μm且半錐角小于5°時的直徑小于400nm。該

的高縱橫比部分相對于的中心軸傾斜13±1°。

可以計算在所需高度處的高縱橫比部分的直徑，包括如下的半徑：

與頂點直徑的距離<+ 2x半徑縱橫比系數(shù)。

縱橫比因子考慮了有限的半徑。對于AR10，縱橫比因子為12.5，對于AR5探針，縱橫比因子為5.4。示例：在要求的600 nm高度，AR10的直徑小于78 nm。 

支持芯片

懸臂固定在硅支撐芯片上（可在?PointProbePlus傳單中的SPM探頭組件示意圖中看到）。作為探頭的組成部分的支撐芯片設計用于操縱探針并將其固定到SPM。支撐芯片的幾何尺寸可重復，可實現(xiàn)

更換探頭而無需重新調(diào)整激光器。通過支撐芯片背面的對準槽與我們的對準芯片相結(jié)合，進一步了這一點。如果它們中的任何一個傾斜，則支撐芯片的倒角邊緣避免芯片和樣品之間的接觸。 n

懸臂

懸臂的橫截面是梯形的，這提供了幾個優(yōu)點。懸臂的探測器側(cè)相當寬。這使得能夠容易地調(diào)整光學系統(tǒng)。然而，決定彈簧常數(shù)的懸臂的平均寬度要小得多。側(cè)的小懸臂寬度減小了懸臂的阻尼，這對于動態(tài)（非接觸輕敲模式）模式下的操作是重要的。 

材料特征

NASENSORS高縱橫比SPM探針由高摻雜的單晶硅制成，具有的功能。硅是眾所周知的半導體技術(shù)材料。