北京飛凱曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司W(wǎng)T-2000型、WT-1200A、WT-1200B型、WT-1000型少子壽命測試儀、DLS-83D深能級瞬態(tài)譜儀、SE-2000全光譜橢偏儀、擴(kuò)展電阻測試儀、汞CV測試儀、非接觸式霍爾效應(yīng)測試儀、原子力顯微鏡、掃描探針顯微鏡、納米壓痕測試儀等。
少子壽命測試儀主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測試手段。通過測量少子壽命，可做出晶體生長及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測少子壽命，光誘導(dǎo)電流測試，無接觸方塊電阻測試，渦流場體電阻率測試，F(xiàn)e元素含量測試。
WT-2000型少子壽命測試儀主要技術(shù)指標(biāo):
1. 微波光電導(dǎo)衰減法測少子壽命:
1.1 壽命測試范圍：0.1 us – 30 ms
1.2 測試分辨率：0.1%
1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm
1.4 樣品的電阻率范圍：0.1 – 1000 ΩCM
1.5 測試光點(diǎn)直徑：1mm
1.6 測試速度：30ms/數(shù)據(jù)點(diǎn)
1.7 測試點(diǎn)數(shù)：過360000
1.8激光源波長：904nm
1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns
2. 光誘導(dǎo)電流測試
2.1 掃描區(qū)域：210 ? 210 mm
2.2 測試電流范圍：1 uA – 1mA
2.3 光源波長：403，880，950，980 nm
2.4 選加功能：硅片，電池的上述激光波長反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描
2.5 通過兩個以上的激光器，可以計算少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度
3. 方塊電阻測試:
無接觸方塊電阻測試功能，以取代傳統(tǒng)的四探針
3.1 可測試樣品：np or pn structure
3.2 測試范圍：10 Ω/sq to 1000Ω/sq
3.3 測試分辨率：2%
3.4 掃描分辨率：10mm
3.5 測試：< 3%
3.6 測試重復(fù)性：< 1%
4. 體電阻率掃描:
渦流場測試，無接觸，傷測試
4.1 測試范圍：0.5 – 20 ΩCM
4.2 測試： 3-6 %
4.3 測試重復(fù)性： 2%
4.4 探頭直徑：5 mm
5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3
詳細(xì)技術(shù)參數(shù)請咨詢我們。
少子壽命是描述半導(dǎo)體 材料特征方程的基本參數(shù)之一,對器件特性的描述起著重要作用,是對以PN結(jié)為基本結(jié)構(gòu)的器件,額外載流子的產(chǎn)生與復(fù)合在PN結(jié)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中起著決定性的作用,因而少子壽命是決定PN結(jié)型器件工作特性的關(guān)鍵材料參數(shù)之一。
太陽電池的轉(zhuǎn)換效率主要依賴于基區(qū)的少子壽命.少子壽命越長光照產(chǎn)生的過剩載流子越可能到達(dá)PN結(jié),受PN結(jié)電場分離后對外產(chǎn)生光電流,同樣由于暗電流的降低可增加太陽電池的開路電壓,所以大部分生產(chǎn)商都在生產(chǎn)前檢驗原始材料的一些關(guān)鍵性參數(shù),光伏工業(yè)生產(chǎn)中常見的測試就是少子壽命的測試,通過對原始材料的壽命測量預(yù)測成品太陽電池的效率。
少子壽命測試儀采用微波光電導(dǎo)衰減法（ASTM國際標(biāo)準(zhǔn)-1535）的測試原理，提供、快速、無接觸、傷的少數(shù)載流子壽命的測試，主要是通過904nm波長的激光激發(fā)出硅片,硅棒或硅錠體內(nèi)的非平衡載流子，再通過微波反射的探測手段來測試少數(shù)載流子引起的電導(dǎo)率的變化，從而判斷該硅片,硅棒或硅錠的缺陷、沾污情況。該設(shè)備主要應(yīng)用于硅棒，硅片的出廠、進(jìn)廠檢查，生產(chǎn)工藝過程的沾污檢測等。是在太陽能領(lǐng)域，少子壽命將直接關(guān)系到成品電池的效率，是備的檢測手段。
少子壽命測量儀可測量半導(dǎo)體的少子壽命。少子壽命值反映了太陽電池表面和基體對光生載流子的復(fù)合程度，即反映了光生載流子的利用程度。少子壽命是半導(dǎo)體晶體硅材料的一項關(guān)鍵性參數(shù)，它對晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率有重要的影響，可以說硅電池的轉(zhuǎn)化效率和少子壽命成正向相關(guān)對應(yīng)關(guān)系。
少子壽命測量儀采用微波光電導(dǎo)衰減法（SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)-1535）的測試原理，即通過激光激發(fā)出硅體內(nèi)的非平衡載流子，再通過微波反射的探測手段來測試少數(shù)載流子引起的電導(dǎo)率的變化，從而計算出少子壽命值，為半導(dǎo)體提供、快速、無接觸、傷的少數(shù)載流子壽命的測試。該儀器測量少子壽命的ns級，分辨率達(dá)1%，測試結(jié)果準(zhǔn)確性好、重復(fù)性高，完滿足太陽能級硅電池的少子壽命測試。目前該方法是受市場接受的少子壽命測試方法。
主要特點(diǎn)：
適應(yīng)低電阻率樣片的測試需要，小樣品電阻率可達(dá)0.1ohmcm
全自動操作及數(shù)據(jù)處理
對太陽能級硅片，測試前一般不需鈍化處理
能夠測試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
可以選擇測試樣品上任意位置
能提供的表面化學(xué)鈍化處理方法
對各道工序的樣品均可進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)控：
硅棒、切片的出廠、進(jìn)廠檢查
擴(kuò)散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池
性能指標(biāo)：
測試材料： 硅、鍺等
樣片電阻率范圍： 0.1 - 1000Wcm
激光波長： 904nm
光斑直徑： 10mm2
微波源： 可調(diào)頻率10.3GHz
少子壽命測試范圍： 100ns - 20ms
測試分辯率： 0.1%
測試時間： 30ms/數(shù)據(jù)點(diǎn)
可以提供單點(diǎn)或連續(xù)測試
主要應(yīng)用：
材料的質(zhì)量控制
硅片、棒的出廠、進(jìn)廠檢查
硅片的屬沾污測試
工藝過程質(zhì)量控制
生產(chǎn)過程中的硅片質(zhì)量監(jiān)測
氮化物鍍膜
金屬化
磷擴(kuò)散
