薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)產(chǎn)品特點
專門針對薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測量。
測試環(huán)境溫度范圍81K~700K。
采用動態(tài)法測量Seebeck系數(shù)，避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差，測量更準確。
采用四線法測量電阻率。
熱電偶探針經(jīng)過嚴格的篩選配對測試結(jié)果的準確和穩(wěn)定。
軟件操作簡單，智能化可實現(xiàn)全自動模式。
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號 | MRS-3 | MRS-3RT | |
環(huán)境溫度 | 81K~700K | RT | |
溫控方式 | PID程序控制 | \ | |
真空度 | ≤ 1Pa | \ | |
測試氣氛 | 真空 | 空氣 | |
測量范圍 | 澤貝克系數(shù)：S ≥ 8μV/K； 電阻率：0.1μΩ?m ~ 1000KμΩ?m | ||
分辨率 | 澤貝克系數(shù)：0.05μV/K； 電阻率：0.05μΩ?m | ||
相對誤差 | 澤貝克系數(shù) ≤ 7%，電阻率 ≤ 5% | ||
測量模式 | 自動 | ||
樣品尺寸 | 長 x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm | ||
主機尺寸 | 采集箱：470x400x140，單位mm | 170x250x220，單位mm | |
重量 | 31.9kg | 3.5kg | |
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)樣品要求
樣品滿足上述樣品尺寸，待測面需平整，薄膜均勻性好，與銅片接觸良好
薄膜材料厚度低可至100nm，其均勻性有較高要求，薄膜厚度別較好
薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或緣材料為宜，如玻璃、Si等材料
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)原理
動態(tài)法：測量Seebeck系數(shù)
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的Seebeck系數(shù)。
采用四線法測量電阻率。
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)測試實例
標準鎳帶測試結(jié)果
東華大學MoS2測試結(jié)果
MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結(jié)果（電工研究所提供樣品）
MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結(jié)果（電工研究所提供樣品）
