- 企業(yè)類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：深圳
ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試要求，且具有波形實(shí)時(shí)顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備。
ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時(shí)間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。
ITC57300能力
測(cè)試電壓：1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）
定時(shí)測(cè)量：為1 ns
漏電流限制監(jiān)視器
- MOSFET開關(guān)時(shí)間測(cè)試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開關(guān)時(shí)間測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測(cè)試，Max ISC=1000A
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：
- MIL-STD-750 Series
額外的電源供應(yīng)器
額外的測(cè)試頭
大包裝適配器
ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關(guān)時(shí)間
ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 電感式開關(guān)時(shí)間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受時(shí)間，MIL-STD-750方法3479
很容易改變的測(cè)試頭
在不同參數(shù)的自動(dòng)化測(cè)試
堅(jiān)固耐用的PC兼容計(jì)算機(jī)
用戶友好的菜單驅(qū)動(dòng)軟件
可編程測(cè)試出紙槽
電子表格兼容的測(cè)試數(shù)據(jù)
可選內(nèi)部電感負(fù)載
GPIB可編程測(cè)試設(shè)備
四通道高帶寬數(shù)字示波器
脈沖發(fā)生器
1200V電源
測(cè)試頭高電壓互鎖
接收端的高電壓互鎖
高速漏極供電開關(guān)
