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ENX2020雪崩耐量測試
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ENX2020雪崩耐量測試

產(chǎn)品價(jià)格:
電議
產(chǎn)品型號(hào):
ENX2020
產(chǎn)品品牌:
易恩電氣
供應(yīng)商等級(jí):
企業(yè)未認(rèn)證
經(jīng)營模式:
工廠
企業(yè)名稱:
德誼邦電子科技(蘇州)有限公司
所屬地區(qū):
江蘇省南京市
發(fā)布時(shí)間:
2019/1/28 11:00:25

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ENX2020雪崩耐量測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述:

    半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用為廣泛的基礎(chǔ)元件,其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電流,滿足的雪崩耐量。

    雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓 時(shí)的擊穿能力。電壓的所集中的能量主要由電感和電流所決定,通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有的電壓余量。但是,一些電源在輸 出短路時(shí),初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些 電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生大的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

該測試系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRDMOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達(dá) 2000J。測試的電壓和電 流波形同時(shí)被采集到示波器,并由示波器與工控機(jī)直接通訊,將采集數(shù)輸給計(jì)算機(jī),計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理后,將測試數(shù)據(jù)以 EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行終 的編輯和打印,同時(shí)可觀測雪崩波形。設(shè)備可滿足各種封裝形式的功率模塊測試需求,并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。

系統(tǒng)模塊:

主控單元、電源模塊、高壓輸出模塊、電流輸出模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路

系統(tǒng)特征:

雪崩能量/電流限提示、設(shè)備配有應(yīng)急裝置、可設(shè)置保護(hù)電壓、可連接handler

測試結(jié)果保存為Excel、測試波形采集及顯示、

規(guī)格/環(huán)境要求:

      寸:800x800x1800(mm)

質(zhì)       量:210kg

環(huán)境濕度:15~40

工作電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

頻率:50Hz±1Hz

大氣壓力:86Kpa~106Kpa

通信接口:U  RS232

系統(tǒng)功耗:320W

功能指標(biāo):

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V

IGBTs
緣柵雙型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA


DIODEs
二管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J



PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器)




感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、




重復(fù)間隙時(shí)間

1~60s可調(diào)(步進(jìn)1s) 重復(fù)次數(shù):1~50次


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