東芝場效應晶體管硅N溝道MOS型(-MOSIV)2SK3565開關穩(wěn)壓器應用
低漏源導通電阻:RDS(ON)= 2.0
?高正向轉移導納(典型值):| YFS | = 4.5 S(典型值)
?低漏電流:IDSS = 100 A(VDS = 720 V)
?增強模式:Vth的= 2.0?4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)的
額定值(Ta = 25°C)
東芝2SK3565特性號額定值單位
漏源電壓VDSS 900 V漏 - 柵電壓(RGS = 20kΩ的)VDGR 900 V柵源電壓VGSS±30 V DC(注1)ID 5漏電流脈沖(T = 1毫秒)(注1)IDP 15疏功耗(TC = 25°C)PD 45 W單脈沖雪崩能量(注2)EAS 595兆焦耳雪崩電流IAR 5 A重復雪崩能量(注3)EAR 4.5兆焦耳溝道溫度Tch 150°C保存溫度Tstg -55?150℃