- 品牌/商標(biāo):九州空間
- 企業(yè)類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產(chǎn)地:北京
- 手持式四探針測試儀:便攜式四探針測試儀按測量范圍可選配JZ-RTS2型或JZ-RTS2A型,區(qū)別:測量范圍不一樣。
- 四探針測試儀:JZ-RTS2測量范圍\t 電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;
- 便攜式四探針測試儀:手持式四探針測試儀本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶(多晶)生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
手持式四探針測試儀
JZ-RTS2/JZ-RTS2A型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的,專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
手持式四探針測試儀儀器采用了新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
手持式四探針測試儀本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶(多晶)生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
四探針測試儀前面板
帶把手四探針探頭
技 術(shù) 指 標(biāo) :
便攜式四探針測試儀按測量范圍可選配JZ-RTS2型或JZ-RTS2A型,區(qū)別:測量范圍不一樣。
JZ-RTS2測量范圍 電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;
方塊電阻:0.1~19999Ω/□;
JZ-RTS2A測量范圍 電阻率:0.001~199.99Ω.cm;
方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□;
JZ-RTS2恒流源 電流量程分為100μA、1mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
JZ-RTS2A恒流源 電流量程分為1mA、10mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動顯示;
四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行) 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量相對誤差 (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
外型尺寸 125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度:23±2℃;
相對濕度:≤65%;
無高頻干擾;
無強光直射;