上海朗研光電科技有限公司
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陳洋先生(聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說(shuō)明是在維庫(kù)儀器儀表網(wǎng)看到的，謝謝)
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探測(cè)效率 > 65 % @ 700nm
暗記數(shù) 200 ~ 2000 cps
后脈沖 3 ~ 5%
時(shí)間抖動(dòng) 300 ~ 500 ps
工作溫度 -15 ~ 45 ℃
雪崩光電二管工作在蓋格模式時(shí)，區(qū)加載了高的電場(chǎng)，使得進(jìn)入?yún)^(qū)的單個(gè)載流子可以激發(fā)自特性的雪崩過(guò)程，增益過(guò)10-6，從而可以探測(cè)單個(gè)光子。我們?cè)O(shè)計(jì)了的主動(dòng)抑制電路，實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測(cè)，并且可加載任意寬度和周期的探測(cè)門(mén)。該電路實(shí)現(xiàn)了20dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發(fā)揮到狀態(tài)。探測(cè)器532nm波段的探測(cè)效率過(guò)50%。適合熒光標(biāo)記、激光測(cè)距、相關(guān)探測(cè)等多種應(yīng)用。
