FQD13N06TM特點
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫歐 @ 5A, 10V
漏源電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏(Id) @ 25° C:10A
咨詢電話SERVICE LINE
86 0755 88363316
掃一掃
進(jìn)入手機(jī)店鋪
深圳市福田區(qū)時代超想電子商行
免企業(yè)未認(rèn)證證營業(yè)執(zhí)照未上傳
經(jīng)營模式:貿(mào)易商
所在地:廣東 深圳市
主營產(chǎn)品:場效應(yīng);肖特基;快恢復(fù);可控硅;IC;SMD元件;達(dá)林頓;集成電路
掃一掃
進(jìn)入手機(jī)店鋪
FQD13N06TM特點