場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件. 　　特點(diǎn): 　　具有輸入電阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者. 　　作用: 　　場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻很高,因此耦合電容可以容量較小,不使用電解電容器. 　　場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān). 　　場效應(yīng)管很高的輸入阻適合作阻變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻變換.場效應(yīng)管可以用作可變電阻.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源. [編輯本段]2.場效應(yīng)管的分類: 　　場效應(yīng)管分結(jié)型、緣柵型(MOS)兩大類 　　按溝道材料:結(jié)型和緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 　　按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。 　　場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.