場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS來控制ID;
(2)場效應(yīng)管的輸入端電流小,因此它的輸入電阻很大。
?。?)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
?。?)場效應(yīng)管的輻射能力強(qiáng);
?。?)由于不存在雜亂運(yùn)動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。