2、調(diào)整頻差
標(biāo)稱頻率在溫度(一般是25℃)下的允許偏差,表示為百分?jǐn)?shù)(%)或分之幾(ppm)。
3、頻率穩(wěn)定性 穩(wěn)定性是指標(biāo)稱頻率在溫度范圍內(nèi)的允許偏差,規(guī)定在25℃下,此項(xiàng)偏差為0,以標(biāo)稱頻率的百分?jǐn)?shù)(%)或分之幾(ppm)來(lái)表示。如前所述,這個(gè)參數(shù)與石英晶片的切角密切相關(guān)。
4、工作溫度范圍 石英晶體元器件在規(guī)定的誤差內(nèi)工作的溫度范圍。
5、溫度頻差
在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25℃&plun;2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差。
6、儲(chǔ)存溫度 晶體在非工作狀態(tài)下保持標(biāo)準(zhǔn)特性的溫度范圍。
7、激勵(lì)功率 晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。
功率是大多數(shù)功率器件在正常電氣參數(shù)的情況下,維持工作所消耗的功率,單位為mW或uW。一般情況激勵(lì)功率應(yīng)維持在石英晶體正常起振和穩(wěn)定振蕩所需要的值,以避免年老化特性不良和晶體損傷。
8、負(fù)載電容(CL) 與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率的外界電容。任何外部電容一旦與石英晶體串聯(lián),即會(huì)成為其諧振頻率的一個(gè)決定因素。負(fù)載電容變化時(shí),頻率也會(huì)隨之改變。因此,在電路中使用時(shí),經(jīng)常會(huì)以標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容來(lái)微調(diào)頻率至期望值。
9、靜態(tài)電容(C0) 等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容。
10、等效串聯(lián)電阻(Rr) 晶體在諧振頻率下的電阻值,單位為歐姆。
11、緣電阻 引線之間或引線和殼體之間的電阻。
12、DLD2
在特定的功率范圍內(nèi)所測(cè)量到的與小阻的偏差量。
13、RLD2
在指定的變化功率范圍內(nèi)測(cè)量到的阻。
14、老化 工作頻率在特定時(shí)間范圍內(nèi)的變化量,一般表達(dá)為值,單位是每年頻率變化量的分之幾(ppm/年)。頻率間而變化的原因有很多,如:密封性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
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