簡介:
DP8205 是雙路增強(qiáng)型的N 溝道
MOSFET。連續(xù)電流可達(dá)7A. 耐壓可達(dá)
20V。據(jù)有低漏電流，低導(dǎo)通電阻等
特點(diǎn)。
DP8205 典型導(dǎo)通內(nèi)阻為20mR @
4.5v。為小型TSSOP8/SOT23-6 封裝，
內(nèi)部兩管的D級已連通在一起，方便
應(yīng)用。

特征:
Ø GS 間電壓：&plun;12V
Ø GS 間漏電流：<100nA
Ø 低導(dǎo)通電阻：4.5v 時(shí)典型19mR,
    2.5v 時(shí)典型25mR
Ø DS 間耐壓：20V
Ø DS 間漏電流：<1uA
Ø 控制啟動(dòng)電壓：典型0.7v
Ø DS 連續(xù)電流：可達(dá)7A
Ø 內(nèi)部二級管壓降：<1.2V

應(yīng)用:
Ø DC-DC 轉(zhuǎn)換器
Ø 鋰電池保護(hù)板
Ø MP3,MP4,GPS
Ø 移動(dòng)電源

依托封裝廠之一的“富士通”，我們?yōu)槟炀蛢?yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。

售后服務(wù)：公司有的工程師為您解決產(chǎn)品應(yīng)用中遇到的問題，包括產(chǎn)品質(zhì)量問題、設(shè)計(jì)應(yīng)用等。如果我們的產(chǎn)品在測試或上機(jī)過程中出現(xiàn)不良或不良偏高，同批次未上機(jī)產(chǎn)品我們將無條件為您換貨。

包裝：采用靜電包裝。

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