SiHG20N50C  TO-247  20A  500V  可以代替IRFP460PBF

 

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的額定電壓，在10V柵驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻有0.27Ω。低RDS(on)意味著更低的傳導(dǎo)損 耗，從而為各種電子系統(tǒng)中的功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PMW)應(yīng)用節(jié)約能量，這些應(yīng)用包括LCD TV、PC機(jī)、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和焊接機(jī)器。

除了低導(dǎo)通電阻，這些器件的柵電荷只有65nC。柵電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是評(píng)價(jià)用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)，這些器件的品質(zhì)因數(shù)只有17.75。

為操作的性，器件經(jīng)過了100%的雪崩測(cè)試，可承受高單脈沖(EAS)和反復(fù)(EAR)雪崩能量。器件可處理72A的脈沖電流和18A的連續(xù)電 流。這三款器件均具有的輸出電容規(guī)格。與前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨導(dǎo)和反向恢復(fù)特性上也有所改進(jìn)。

關(guān)鍵器件指標(biāo)：