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三維原子探針(3DAP)-原子探針斷層分析(APT)LEAP4000
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三維原子探針(3DAP)-原子探針斷層分析(APT)LEAP4000

產(chǎn)品價(jià)格:
電議
產(chǎn)品型號:
LEAP4000
供應(yīng)商等級:
企業(yè)未認(rèn)證
經(jīng)營模式:
貿(mào)易商
企業(yè)名稱:
深圳賽普思科技有限公司
所屬地區(qū):
廣東省 深圳市
發(fā)布時(shí)間:
2014/7/23 16:04:27

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羅生先生(聯(lián)系我時(shí),請說明是在維庫儀器儀表網(wǎng)看到的,謝謝)

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概述:

三維原子探針顯微(3DAP),也稱為原子探針斷層分析(APT),是一種具有原子級空間分辨率的測量和分析方法?;?/span>場蒸發(fā)原理,三維原子探針通過在樣品上施加一個(gè)強(qiáng)電壓脈沖或者激光脈沖,將其表面原子逐一變成離子而移走并收集。3DAP的特性就是從小的尺度來逐點(diǎn)材料內(nèi)部結(jié)構(gòu),不論簡單亦或復(fù)雜??梢暂p松獲得納米尺度結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)化學(xué)成分和三維形貌,因而專門應(yīng)對材料研發(fā)中令人棘手的小尺度結(jié)構(gòu)的測量與分析問題。

 

發(fā)展及應(yīng)用:

三維原子探針(3DAP)可以直接觀察到溶質(zhì)原子偏聚在位錯(cuò)附近形成的柯氏氣團(tuán)(Cottrell 氣團(tuán));

可以分析各種元素在各種內(nèi)界面(晶界、相界、多層膜結(jié)構(gòu)中的層間界面等)的原子的偏聚行為;

研究沉淀相的析出過程、非晶晶化時(shí)原子擴(kuò)散和晶體成核的過程;

分析各種合金元素在納米晶材料不同相及界面上的分布等。


   
以前,由于對樣品有導(dǎo)電性的要求以及制作針尖形狀樣品有難度等一些問題,原子探針的應(yīng)用曾經(jīng)在很長一段時(shí)間內(nèi)局限于金屬材料,做純科學(xué)的探索。進(jìn)入2000年以來,儀器本身在一些關(guān)鍵技上的性進(jìn)展,加上匯聚離子束制樣技的成熟,大大拓展了原子探針的應(yīng)用范圍,可研究的對象涵蓋金屬、半導(dǎo)體、存儲(chǔ)介質(zhì),到材料(納米線、量子阱)等廣泛的材料類型;應(yīng)用上從純學(xué)研究到汽車、航空發(fā)動(dòng)機(jī)、核設(shè)施、半導(dǎo)體芯片、LED、光伏材料等等應(yīng)用科學(xué)甚至直接的生產(chǎn)過程監(jiān)控。從無機(jī)材料到材料Nature》曾報(bào)道了利用這一技對動(dòng)物頭蓋骨的研究。時(shí)至今日,3DAP技因其的分析視角正在為越來越多的材料研發(fā)人員所認(rèn)識(shí),已經(jīng)逐漸加入TEMSIMS等工具的行列,成為材料分析的主流分析技之一。


CAMECA
三維原子探針LEAP系列
LEAP HR

    LEAP
系列原子探針設(shè)備分 LEAP HR LEAP Si 兩種類型。LEAP HR 適用于研究材料和金屬材料。

其主要特性:
   
局部電 微尖陣列
   
局部電(Local ElectrodeTM)是原子探針的關(guān)鍵部件。LEAP—局部電原子探針(Local ElectrodeTM Atom Probe)即取名于此。局部電的應(yīng)用了原子探針的易用性和數(shù)據(jù)質(zhì)量,也因?yàn)榫植侩?,原子探針可以利用微尖陣列?/span>MicrotipTM arrays)裝載多個(gè)樣品,大大原子探針的實(shí)驗(yàn)效率。

   
反射鏡高質(zhì)量分辨率 大視場
   
新一代 LEAP 4000X HR 配備了新型能量補(bǔ)償反射鏡(Reflectron),在優(yōu)化質(zhì)量分辨率的同時(shí)獲得了大視場(可達(dá)250nm)。對于工作在電壓脈沖模式下的那些應(yīng)用(例如,傳統(tǒng)的金屬材料),將獲得出色的質(zhì)量分辨率。

   
小束斑UV激光
   
在激光模式下工作時(shí),LEAP 4000X HR使用了聚焦到很小束斑的UV波長激光。小束斑了優(yōu)異的質(zhì)量分辨,UV波長了對包括許多緣體在內(nèi)的眾多材料都可以給出更好的結(jié)果。


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寶安區(qū)西鄉(xiāng)前進(jìn)二路128號百佳盛大廈308

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