上海望爵電子科技有限公司
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免企業(yè)未認(rèn)證證營(yíng)業(yè)執(zhí)照未上傳
經(jīng)營(yíng)模式：貿(mào)易商
所在地：上海
主營(yíng)產(chǎn)品：可控硅;單向可控硅;場(chǎng)效應(yīng)管;MOS管;雙向可控硅;IRF3205;IRF830;IRF840;晶閘管;MJE13003;75N75;4N60;BT169;BTB04;MCR100-8;BTA16;P0080TA;貼片可控硅;高壓可控硅;低壓MOS管
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IRF730-MOS管-場(chǎng)效應(yīng)管-MOSFET
概述
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
產(chǎn)品特性：
熱阻低、開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻高、合RoHS規(guī)范
主要參數(shù)：
漏-源電壓VDS≥400V 漏電流ID=5.5A 導(dǎo)通電阻RDS≤1ohm
