場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三管是載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件
類別 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn) 標(biāo)準(zhǔn)型
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏(Id) @ 25° C 75A
開(kāi)態(tài)Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 毫歐 @ 75A, 10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs 240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds 6450pF @ 25V
功率 - 300W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝 TO-220AB
包裝 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱 *IRF2804PBF