描述：

　　6A、600V N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管SVF6N60MJ/F/D采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
　　該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

封裝形式：

TO-251J-3L；TO-252-2L；TO-220F-3L

特點(diǎn)：

∗ 6A，600V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V
∗ 低柵電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開關(guān)速度快
∗ 了dv/dt 能力

主要限參數(shù)(除非說明，TC=25°C)：