增特科技代理NEC現(xiàn)貨供應(yīng)硅頻低噪聲功率N型外延層三管2S226-T1

封裝：SOT23-in

少包裝：3000Pcs/Reel

庫存數(shù)量：60K（深圳現(xiàn)貨，大批量訂貨一周）

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2S226描述：

　　2S226硅頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動(dòng)態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的微波相控陣?yán)走_(dá)功率放大器件生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，為民用市場研制開發(fā)了系列高頻微波三管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S226，BFR540，BFR520等，其性能指標(biāo)同NEC、philips同類產(chǎn)品類同。

2S226參數(shù)：
　　類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
　　集電-發(fā)射電壓VCEO：12V
　　集電-基電壓VCBO:20V
　　發(fā)射-基電壓VEBO:3.0V
　　集電直流電流IC:100mA
　　總耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
　　工作結(jié)溫Tj:150℃
　　貯存溫度Tstg:-65~150℃
　　封裝形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
　　功率特性：率
　　性：NPN型
　　結(jié)構(gòu)：擴(kuò)散型
　　材料：硅(Si)
　　封裝材料：塑料封裝
　　電性能參數(shù)（TA=25℃）：
　　擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
　　直流放大系數(shù)hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
　　集電-基截止電流ICBO:100nA(值)
　　發(fā)射-基截止電流IEBO:100nA(值)
　　特征頻率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
　　集電允許電流IC：0.1（A）
　　集電允許耗散功率PT：0.2（W）
　　功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　噪聲系數(shù)NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。