Part Number（編碼） | Chip（晶片） | ||
1W紅色 | Material（材料） | Emitting（顏色） | 入P(nm) |
InGaN | RED | 625 | |
Parameter（參數(shù)） | Symbol | MIN | TYP | MAX | UNIT | TT CONDITION |
Forward Voltage（順向電壓） | VF | 2.0 | / | 2.4 | V | If=350mA |
Domi Welength（主波長） | λd | 625 | / | 630 | nm | |
Reverse Current（反向電流） | IR | 10 | μA | VR=5V | ||
Power dissipation （消耗功率） | Pd | 1000 | mW | |||
Luminous Intensity （發(fā)光強(qiáng)度） | IV | 30 | / | 40 | LM | If=350mA |
Peak Forward Current （順向電流峰值） | If(Peak) | 500 | mA | |||
Recommend Forward Current （順向電流） | If(Rec) | 350 | mA | |||
Electrostatic Discharge （靜電釋放） | D | 2000 | V |
1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）
2.OPERATING TEMPERATURE：—40℃TO80℃ (操作溫度)
3.LEAD SOLDERING：260℃FOR 5 SECONDS（焊接條件）4. 儲存條件:25℃以下60%濕度以下.
