肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,D是肖特基勢(shì)壘二管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成D)的簡(jiǎn)稱。D不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,D也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二管或表面勢(shì)壘二管,它是一種熱載流子二管。
是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航?.4V左右,而整流電流卻可幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二管所擬的。中、小功率肖特基整流二管大多采用封裝形式。