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    肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，D是肖特基勢壘二（SchottkyBarrierDiode,縮寫成D）的簡稱。D不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，D也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。

     肖特基二管肖特基（Schottky）二管，又稱肖特基勢壘二管（簡稱D），它屬一種低功耗、速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二管、續(xù)流二管、保護(hù)二管，也有用在微波通信等電路中作整流二管、小信號檢波二管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

     肖特基（Schottky）二管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要考慮。