場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種性的載流子,即多數(shù)載流子和反性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙型晶體管,而FET是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙型相反,也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類/ a% z3 ~' X! l: z" Z/ M! n, o
場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵與其它電緣而得名。目前在緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。/ Q9 X( [- @8 x$ P; C7 c
按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。8 l/ ^: T0 }0 h: C# Z' |' ]) Z' Y
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻很高，因此耦合電容可以容量較小，不使用電解電容器。0 q2 N2 o" F0 g C+ ?; B2 T
2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻適合作阻變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻變換。3 }3 k0 r# K6 z, Y# _ ^8 R' X
3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。
4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。( j: w+ s ~% Z/ G
5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
