Q/YTDZ—2009
HC-49US石英晶體諧振器
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了HC-49US石英晶體諧振器的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及包裝、儲(chǔ)存、運(yùn)輸?shù)囊蟆?/span>
本標(biāo)準(zhǔn)適用于計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備及移動(dòng)通信設(shè)備中頻率控制用電阻焊封裝石英晶體諧振器。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究成果可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB191-2000包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T2828.1-2003計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)：實(shí)驗(yàn)Q：密封
GB/2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)Ed：自由跌落
GB2423.28-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)T：錫焊
GB2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca：恒定濕熱試驗(yàn)方法
IEC122-1---1976頻率控制與選擇用石英晶體元件部分：標(biāo)準(zhǔn)值和試驗(yàn)條件
3結(jié)構(gòu)尺寸
本產(chǎn)品采用HC-49US晶體盒，外形尺寸如圖1規(guī)定
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Q/YTDZ01—2009
4 技術(shù)要求
技術(shù)要求見表1
表1HC-49US
頻率范圍 | 3.6MHZ-30MHZ | 20MHZ-40MHZ | 27MHZ-40MHZ |
振動(dòng)模式 | AT基頻 | BT基頻 | 3次泛音 |
諧振電阻Ω | 30Ω-150Ω | 40Ω | 60Ω-120Ω |
頻率偏差（25℃） | &plun;10ppm--&plun;50ppm | ||
溫度范圍 | -20℃--+70℃ | ||
溫度偏差 | &plun;10ppm--&plun;50ppm | ||
靜電容 | ≤7PF MAX | ||
負(fù)載電容 | 8PF—50PF or Series | ||
激勵(lì)電平 | 0.1Mw—2mW | ||
緣電阻 | ＞500兆歐/DC100V&plun;15V | ||
標(biāo)志 | 標(biāo)志清晰牢固 | ||
質(zhì)量 | ＜1克 | ||
外觀質(zhì)量 | 涂覆層完整，無凹陷、凸起、腐蝕及污垢，引線平行且與基座垂直 | ||
密封性 | 漏率小于1﹡10-9bar.cm²/S | ||
振動(dòng)（10HZ—55HZ） | 允許頻率變化&plun;10ppm 電阻變化≤30% | ||
跌落試驗(yàn) | 允許頻率變化&plun;10ppm 電阻變化≤30% | ||
可焊性 | 新錫層面積95%以上 | ||
引線強(qiáng)度 | 無可見傷痕及斷裂 | ||
恒定濕熱48h | 允許頻率變化&plun;10ppm 電阻變化≤20% 緣電阻應(yīng)大于500兆歐 | ||
老化 | &plun;10pm | ||