器件,顯示器件,變壓器器件,砷化鎵霍爾器件類技術資料(168元/套)
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[CS8144-0073-0001] 半導體器件 [摘要] 在此提供一種半導體器件，其中包括：形成在半導體基片上的緣膜；垂直和水平地形成在存儲單元區(qū)域中的緣膜上的實際操作電容器；有選擇地形成在該存儲單元區(qū)域的四個角上的偽電容器；以及形成在該實際操作晶體管和偽電容器上的第二緣膜。
[CS8144-0001-0002] 半導體集成電路器件 [摘要] 集成電路具備：把90度相位差賦予本地信號的移相器；使本地信號和接收信號混頻的和第2混頻電路；把90度相位差賦予和第2混頻電路的輸出信號，輸出和第2信號的第2移相器；進行和第2信號之間的加法和減法運算的加和減；將減輸出信號的強度和基準強度進行比較的信號強度檢測器；根據(jù)該比較結果，使和第2混頻電路中的任何一方，或使和第2混頻電路中的任何一方與移相器的動作停止的電源控制電路。
[CS8144-0058-0003] 帶有蛇形縫隙式散熱片的散熱設備 本發(fā)明提供了一種用于散熱設備(10)的蛇形縫隙式散熱片(26)，所述散熱設備(10)用于對具有一散熱表面(14)的電子器件(12)進行冷卻。散熱設備(10)包括有一個具有表面(18)和第二表面(20)的平板(16)，其中表面(18)被構造成能夠從電子器件(12)的表面(14)接收熱量。散熱片(26)被粘結在第二表面上，并且包括有多個偏置側壁部分(48)。在一個實施例中，一個風扇(22)在第二表面(20)的上方間隔設置，用以基本上垂直于第二表面(20)將一股沖擊氣流(24)導向該第二表面(20)，而蛇形縫隙式散熱片(26)位于風扇(22)的下方，并且被粘結在第二表面(20)上。
[CS8144-0165-0004] 貼合基板的制造方法 [摘要] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種貼合基板的制造方法，是針對至少具有將2枚的基板接合的工序、及對該接合后的基板給予熱處理使其強固地結合的工序之形態(tài)的貼合基板的制造方法，其特征為：至少在接合前述基板之前，進行除去該基板表面的污染物質(zhì)的洗凈工序，接著，進行使洗凈后的基板表面干燥的工序；該干燥工序不使用水置換法，而通過在接合前的基板上，殘留水分，來基板接合后的接合強度。通過此手段，提供一種貼合基板的制造方法，以高生產(chǎn)性和高良率，制造出可以接合基板的接合界面的接合強度，在結合熱處理后的貼合基板的結合界面，沒有空洞不良或氣泡不良等的基板。
[CS8144-0070-0005] 半導體器件及其制造方法 [摘要] 催化元素被添加到非晶半導體膜中并對其進行熱處理，從而產(chǎn)生具有良好質(zhì)量的結晶半導體膜，使用該結晶半導體膜獲得具有滿意特性的TFT(半導體器件)。半導體層包括含有濃度為1×1019/cm3～1×1021/cm3并且屬于元素周期表的15族的雜質(zhì)元素，和濃度為1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且屬于元素周期表的13族的雜質(zhì)元素的一個區(qū)域，而且該區(qū)域是留在半導體膜(是溝道形成區(qū))中的催化元素向其移動的區(qū)域。
[CS8144-0184-0006] 半導體元件用導電性薄膜、半導體元件及它們的制造方法 [摘要] 一種半導體元件(1)，在襯底(2)上，層積了包含Mo原子和Ag原子的導電性薄膜構成的柵電(4)、柵緣膜(6)、α-Si：H(i)膜(8)、溝道保護膜(10)、α-Si：H(n)膜(12)、包含Mo原子和Ag原子的導電性薄膜構成的源?漏電(14)、源?漏緣膜(16)以及驅動電(18)。使用包含Mo原子和Ag原子的導電性薄膜，形成柵電(4)和源?漏電(14)并制造半導體元件(1)。由此，可以提供與基材和緣層等的粘結強度大的半導體元件用導電性薄膜、在性能不惡化下穩(wěn)定工作的半導體元件及其它們的率的制造方法。
[CS8144-0002-0007] 螺旋電感內(nèi)含垂直電容的結構 [摘要] 一種螺旋電感內(nèi)含垂直電容的結構，包含一多層導線以直立方式環(huán)繞的螺旋電感，及復數(shù)個直立式電容形成于電感線圈之內(nèi)，借以半導體基板平面面積之利用，且由于二個以上電容形成于電感內(nèi)部，渦電流因被阻斷，故能量損耗低。
[CS8144-0069-0008] 半導體器件及其制作方法 [摘要] 用于NMOS晶體管中擴展區(qū)的砷劑量在5×1014至2×1015ions/cm2的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.1×1015至1.5×1015ions/cm2的范圍內(nèi)。同樣地，除了砷之外，通過離子注入向擴展區(qū)摻入低濃度的磷。因此，對于CMOS結構的半導體器件，可以取決于以砷為代表的低擴散系數(shù)雜質(zhì)濃度、經(jīng)常發(fā)生在淺結區(qū)中不期望的硅化物蠕變。而且，不可以降低淺結區(qū)中的電阻，而且可以在每一個晶體管中優(yōu)化重疊量。
[CS8144-0187-0009] 摻雜氮的退火晶片的制造方法以及摻雜氮的退火晶片 [摘要] 本發(fā)明涉及一種摻雜氮的退火晶片的制造方法，其在對由摻雜氮的硅單晶切削、并至少經(jīng)過研磨的晶片在氬、氫或其混合氣體環(huán)境下實施1100～1350℃的高溫熱處理前，通過進行在小于前述高溫熱處理的處理溫度溫度滯留的工序，使前述高溫熱處理中消滅的尺寸的氧析出核生長為前述高溫熱處理中不消滅的尺寸，然后，進行前述高溫熱處理的摻雜氮的退火晶片的制造方法。據(jù)此，提供不受摻雜于硅單晶的氮濃度影響，從硅單晶的各部位切削而成的硅單晶晶片中的退火后的BMD密度的誤差可被緩和。
[CS8144-0050-0010] 探測裝置，半導體裝置的檢驗裝置及檢驗方法 [摘要] 本發(fā)明涉及探測裝置，設有該探測裝置的半導體裝置的檢驗裝置及其檢驗方法。使得晶片7通過載物臺9及接地配線11成為接地電位。通過載物臺高度驅動組件17，使載物臺9水平移動，將進行檢驗的芯片區(qū)域13的IC端子15配置在與探測端子25對應的位置后，載物臺9上升到所定高度位置。通過施加電流測定電壓部31向各探測端子25施加所恒流，因IC端子和探測端子25的接觸為起因的電壓變化。使載物臺9進一步上升，當檢測到IC端子和探測端子25接觸時，接觸判斷部39輸出該信息，從該時刻起，使載物臺9上升所定量后，停止載物臺9上升。即使是IC端子高度偏差大的半導體裝置也能實現(xiàn)IC端子與探測端子的穩(wěn)定接觸。
[CS8144-0181-0011] 薄膜結構體的制造方法
[CS8144-0081-0012] ZnMgSSe系正-本-負光電二管以及ZnMgSSe系雪崩二管
[CS8144-0152-0013] 半導體器件及其制造方法
[CS8144-0043-0014] 清洗等離子加工裝置的方法
[CS8144-0154-0015] 電致發(fā)光裝置及其制造方法
[CS8144-0202-0016] 散熱型BGA封裝及其制造方法
[CS8144-0174-0017] 評估基于核的系統(tǒng)集成芯片(SoC)的方法及實現(xiàn)該方法的SoC的結構
[CS8144-0047-0018] 離散式電路元件的制作方法
[CS8144-0196-0019] 等離子體處理裝置
[CS8144-0075-0020] 非揮發(fā)性內(nèi)存及其制造方法
[CS8144-0006-0021] 紫外線程序化的P型罩幕式只讀存儲器及其制造方法
[CS8144-0049-0022] 多屬層內(nèi)連線結構及測試金屬層間介電層強度的方法
[CS8144-0078-0023] 具位於主動胞元陣列外的屏蔽電和較小閘-汲電容的電晶體排列
[CS8144-0060-0024] 具有非氧化銅線的半導體封裝
[CS8144-0110-0025] 半導體發(fā)光器件及其制造工藝
[CS8144-0177-0026] 非易失性存儲器單元陣列和形成方法
[CS8144-0022-0027] 薄膜晶體管
[CS8144-0175-0028] 電源電路裝置
[CS8144-0182-0029] 發(fā)光材料和發(fā)光器件
[CS8144-0005-0030] 無接觸區(qū)形成于存儲單元區(qū)的分柵快閃存儲單元陣列結構
[CS8144-0105-0031] 在半導體襯底上制造無源元件的方法
[CS8144-0086-0032] 半導體發(fā)光芯片及半導體發(fā)光器件
[CS8144-0206-0033] 半導體器件及其制造方法
[CS8144-0213-0034] 無鉻相移掩膜及使用該掩膜的設備
[CS8144-0130-0035] 相對于未摻雜二氧化硅和氮化硅能選擇性蝕刻摻雜二氧化硅的蝕刻劑,其使用方法...
[CS8144-0155-0036] 電致發(fā)光裝置
[CS8144-0020-0037] 應用于MOS場效應管的柵電介質(zhì)材料鋁酸鋯薄膜及其制法
[CS8144-0068-0038] 輕薄疊層封裝半導體器件及其制造工藝
[CS8144-0025-0039] 半導體顯示器件
[CS8144-0153-0040] 電源模塊及空調(diào)機
[CS8144-0135-0041] 自旋偏振載流子轉移的方法和設備
[CS8144-0137-0042] 低介電氮化硅膜及其制造方法和半導體器件及其制造工藝
[CS8144-0129-0043] 磁控管等離子體用磁場發(fā)生裝置、使用該磁場發(fā)生裝置的等離子體蝕刻裝置和方法
[CS8144-0149-0044] 低功率半導體存儲器結構
[CS8144-0092-0045] 用硅質(zhì)材料封埋微細溝的方法和帶硅質(zhì)膜的襯底材料
[CS8144-0117-0046] 在硅酸鹽玻璃中腐蝕雙波紋結構的方法
[CS8144-0161-0047] 制造高溫導體的方法
[CS8144-0014-0048] 具有高介電常數(shù)的復晶硅柵間介電層的結構及其形成方法
[CS8144-0124-0049] 半導體器件及其制造方法
[CS8144-0120-0050] 半導體集成電路器件
[CS8144-0192-0051] 半導體器件的制造裝置和制造系統(tǒng)
[CS8144-0145-0052] 用于FIMS系統(tǒng)的裝箱接口設備
[CS8144-0159-0053] 固體成像器件的制造方法
[CS8144-0121-0054] 包括可焊熱界面的電子組件及其制造方法
[CS8144-0012-0055] 半導體器件及其制造方法和功率放大器模塊
[CS8144-0131-0056] 改進的氟摻雜二氧化硅薄膜
[CS8144-0055-0057] 半導體器件及其制造方法
[CS8144-0045-0058] 低順向電壓降肖特基屏蔽二管及其制造方法
[CS8144-0193-0059] 氮化物半導體器件及其制造方法
[CS8144-0140-0060] 電子元件及其制造方法
[CS8144-0011-0061] 影像傳感器封裝結構及應用該影像傳感器的影像擷取模塊
[CS8144-0190-0062] 構圖方法
[CS8144-0147-0063] 半導體薄膜及半導體裝置的制造方法、半導體裝置、集成電路、電光學裝置及電子...
[CS8144-0209-0064] 半導體發(fā)光器件及其制造方法、以及電層連接結構
[CS8144-0033-0065] 制造適合于圖象傳感器的半導體裝置的方法
[CS8144-0178-0066] 半導體裝置及其制造方法
[CS8144-0083-0067] 光電器件及光電器件的制造方法
[CS8144-0030-0068] 高線性度砷化鎵霍爾器件的制備工藝
[CS8144-0031-0069] 一種霍爾器件靜電擊穿能力的方法
[CS8144-0141-0070] 存儲單元,存儲單元裝置和制造方法
[CS8144-0179-0071] 包含薄膜晶體管的電子器件
[CS8144-0016-0072] 一種新的柵介質(zhì)堆層結構
[CS8144-0126-0073] 帶放大柵氧化物完整結構的半導體溝槽器件
[CS8144-0215-0074] 液膜形成方法及固體膜的形成方法
[CS8144-0119-0075] 發(fā)動機驅動發(fā)電機的整流器組件中二管部件的制造方法
[CS8144-0010-0076] 半導體裝置及其制造方法
[CS8144-0097-0077] 彩色太陽能電池單元
[CS8144-0146-0078] 薄膜半導體器件及其制造方法
[CS8144-0098-0079] 第III族氮化物系化合物半導體發(fā)光元件及其制造方法
[CS8144-0088-0080] 薄膜壓電元件及其制造方法和使用該壓電元件的執(zhí)行元件
[CS8144-0063-0081] 芯片比例封裝及其制造方法
[CS8144-0138-0082] 用于輸入/輸出的球限定冶金結構及其制造方法
[CS8144-0122-0083] 塑料封裝基底、氣腔型封裝及其制造方法
[CS8144-0007-0084] 半導體裝置
[CS8144-0158-0085] 貼合晶片的制造方法
[CS8144-0203-0086] LED燈
[CS8144-0024-0087] 復合太陽能電池組
[CS8144-0004-0088] 非易失性存儲器單元與非易失性存儲器陣列及其操作方法
[CS8144-0054-0089] 半導體集成電路
[CS8144-0116-0090] 施行后臨界尺寸控制的方法及裝置
[CS8144-0125-0091] 半導體集成電路器件及其制造方法
[CS8144-0218-0092] 基板處理裝置
[CS8144-0009-0093] 半導體器件及其制法、SOI襯底及其制法和其顯示器件 CS8144-0048-0094] 微電子電路的空腔型封裝方法
[CS8144-0144-0095] 包括-需要電化的熱電物質(zhì)層的熱釋傳感器的制造方法
[CS8144-0080-0096] 結勢壘控制肖特基二管終端及方法
[CS8144-0204-0097] 顯示裝置
[CS8144-0053-0098] 含低介電常數(shù)緣膜的半導體裝置的制造方法
[CS8144-0188-0099] 制造電子器件的方法
[CS8144-0212-0100] 三維立體掩膜
[CS8144-0077-0101] 半導體器件及其制造方法
[CS8144-0106-0102] 硅內(nèi)溝道結構底部的厚氧化層
[CS8144-0066-0103] 靜電放電護電路
[CS8144-0198-0104] 等離子體處理裝置以及半導體制造裝置
[CS8144-0173-0105] 半導體器件的制造方法
[CS8144-0087-0106] 半導體發(fā)光裝置
[CS8144-0079-0107] 頂柵型薄膜晶體管
[CS8144-0099-0108] 用于測量裝置的壓電陶瓷多層元件及其制造方法
[CS8144-0037-0109] 成膜方法及使用該方法制造的器件、和器件的制造方法
[CS8144-0013-0110] 一種適用于深亞微米領域的場效應晶體管及其制備方法
[CS8144-0039-0111] 半導體制造裝置、半導體制造系統(tǒng)和襯底處理方法
[CS8144-0167-0112] 使用LED芯片的發(fā)光裝置
[CS8144-0061-0113] 芯片比例封裝及其制造方法
[CS8144-0216-0114] 用熱氧化氮化鋅制主型氧化鋅薄膜材料的方法
[CS8144-0067-0115] 靜電放電護電路
[CS8144-0096-0116] 具有溫度補償?shù)膯坞娫串愘|(zhì)結場效應晶體管
[CS8144-0107-0117] 功率MOSFET及其形成和工作方法
[CS8144-0074-0118] 具有保護二管的氮化硅只讀存儲器結構及其操作方法
[CS8144-0176-0119] 電致發(fā)光器件及其制造方法
[CS8144-0085-0120] 一種向四周發(fā)光均勻的發(fā)光二管
[CS8144-0208-0121] 具有柔性襯底的矩陣陣列器件
[CS8144-0142-0122] 薄膜結構體及其制法以及加速傳感器及其制法
[CS8144-0118-0123] 在具有雙層位線的硅緣體(SOI)襯底上構造的DRAM
[CS8144-0076-0124] 集成電路器件的安裝構造和安裝方法
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[CS8144-0100-0127] 對基體進行熱處理
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[CS8144-0114-0131] 半導體基板上形成前金屬電介質(zhì)薄膜的方法
[CS8144-0062-0132] 芯片比例封裝及其制造方法
[CS8144-0018-0133] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[CS8144-0143-0134] 產(chǎn)生輻射的半導體芯片和發(fā)光二管
[CS8144-0021-0135] 應用于MOS場效應管的柵電介質(zhì)材料氮鋁酸鋯薄膜及制法
[CS8144-0064-0136] 半導體裝置及其制造方法
[CS8144-0132-0137] 改進的倒裝芯片連接封裝
[CS8144-0044-0138] 電漿處理裝置
[CS8144-0127-0139] 在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層,并由此制造氮化鎵半導體結構...
[CS8144-0059-0140] 半導體器件及其制造方法
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[CS8144-0195-0142] 等離子體處理裝置
[CS8144-0150-0143] 散熱片及其制造方法
[CS8144-0034-0144] 外延涂覆半導體晶片的方法及裝置、以及外延涂覆的半導體晶片
[CS8144-0015-0145] SOI金氧半場效電晶體
[CS8144-0093-0146] 晶片背面的晶粒黏接材料的預先使用方法及封裝組件
[CS8144-0082-0147] 光發(fā)電裝置及其制造方法
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[CS8144-0040-0149] 功率半導體裝置的閘墊保護結構及其制造方法
[CS8144-0160-0150] 使用LED的發(fā)光裝置
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[CS8144-0164-0152] 布線方法和利用該方法的器件布置方法、以及圖象顯示裝置的制造方法
[CS8144-0207-0153] 包括薄膜晶體管的電子器件及其制造
[CS8144-0019-0154] 半導體元件及使用該半導體元件的顯示器件
[CS8144-0072-0155] 半導體器件及其制造方法
[CS8144-0169-0156] 包含一個有低根和高金屬離子含量的導電透明聚合物層的發(fā)光二管(LED...
[CS8144-0180-0157] 薄膜晶體管及有源矩陣型顯示裝置及其制造方法
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[CS8144-0201-0162] 電子器件用封裝體及其制造方法
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[CS8144-0028-0165] 溫度檢測元件以及裝備它的電路基板
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