光敏電阻受光照后,其阻值會(huì)變小。用來制作光敏電阻的典型材料有硫化鎘(CdS)及硒化鎘(CdSe)兩種。光敏電阻的CdS或CdSe沉積膜面積越大,其受光照后的阻值變化也越大,故通常將沉積膜做成“弓”字形,以其面積。光敏電阻工作時(shí)的響應(yīng)速度較慢,如CdSe光敏電阻的響應(yīng)時(shí)間約為10ms,CdS的響應(yīng)時(shí)間約為100ms.因此,光敏電阻通常都工作于直流或低頻狀態(tài)下。
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深圳市沃恩德溢光電科技有限公司
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所在地:廣東省 深圳市
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